[实用新型]同步整流电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及同步整流技术领域，具体涉及一种同步整流电路。

背景技术

同步整流电路一般是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管)，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术，如图1所示，是使用专业控制芯片的同步整流电路。在电源待机时，芯片通过检测VS1 点的电压，使得控制芯片停止发送驱动，整流电路中的MOSFET的栅极没有驱动，MOSFET不导通，通过MOSFET的体二极管进行整流，此时MOSFET的同步整流损耗较小，但是由于控制芯片仍处于工作状态，仍占用功耗。

实用新型内容

本实用新型的目的是，提供一种同步整流电路，在系统待机时确保采用 MOSFET的体二极管进行整流的前提下，控制整流驱动模块不工作，降低同步整流电路的待机功耗。

为解决以上技术问题，本实用新型提供一种同步整流电路，包括变压器、专用功率MOSFET、滤波电容、整流驱动模块和待机控制模块；

所述变压器包括副边和用于与供电电源连接的原边，所述变压器的副边包括整流输入端和整流输出端；所述整流驱动模块包括驱动检测端、驱动输出端和电源输入端；所述待机控制模块包括开关输入端、开关输出端和用于接收外部控制信号的开关控制端；

所述变压器的整流输入端与所述专用功率MOSFET的漏极连接，所述专用功率MOSFET的源极通过所述滤波电容与所述变压器的整流输出端连接，所述专用功率MOSFET的栅极与所述整流驱动模块的驱动输出端连接，所述整流驱动模块的驱动检测端与所述变压器的整流输入端连接，所述整流驱动模块的电源输入端与所述待机控制模块的开关输出端连接，所述待机控制模块的开关输入端与直流电源连接。

在一种实施方式中，所述整流驱动模块包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；

所述第一三极管的发射极与所述整流驱动模块的驱动检测端连接，所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接，所述整流驱动模块的电源输入端通过所述第一电阻与所述第一三极管的基极连接，所述整流驱动模块的电源输入端还通过所述第二电阻与所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极与地连接；

所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接，所述第三三极管的集电极与所述整流驱动模块的电源输入端连接，所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的发射极连接，所述第四三极管的基极与所述第三三极管的基极连接，且所述第四三极管的基极通过所述第四电阻与地连接，所述第四三极管的集电极与地连接，所述第三三极管的发射极通过所述第三电阻与地连接，所述第三三极管的发射极还与所述整流驱动模块的驱动输出端连接。

进一步地，所述整流驱动模块还包括连接于所述第一三极管的发射极与所述整流驱动模块的驱动检测端之间的第一二极管和第五电阻；其中，所述第一三极管的发射极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极通过所述第五电阻与所述整流驱动模块的驱动检测端连接。

进一步地，所述整流驱动模块还包括第二二极管；

所述第二二极管的正极与所述第一三极管的基极连接，所述第二二极管的负极与所述第四三极管的基极连接。

进一步地，所述整流驱动模块还包括连接于所述第二三极管的发射极与地之间的第三二极管；其中，所述第三二极管的正极与所述第二三极管的发射极连接，所述第三二极管的负极与地连接。

优选地，所述第一三极管、所述第二三极管和所述第三三极管均为NPN型三极管；所述第四三极管为PNP型三极管。

在一种实施方式中，所述待机控制模块包括第一开关管、第二开关管、第六电阻和第七电阻；

所述第一开关管的第一端与所述待机控制模块的开关控制端连接，所述第一开关管的第一端还通过所述第六电阻与地连接，所述第一开关管的第二端通过所述第七电阻与所述第二开关管的第一端连接的，所述第一开关管的第三端与地连接；

所述第二开关管的第二端与所述待机控制模块的开关输出端连接，所述第二开关管的第三端与所述待机控制模块的开关输入端连接，所述第二开关管的第三端还与所述第二开关管的第一端连接。

进一步地，所述待机控制模块还包括连接于所述第一开关管的第一端与所述待机控制模块的开关控制端之间的第八电阻；以及包括连接于所述第二开关管的第三端与所述第二开关管的第一端之间的第九电阻。