[实用新型]一种基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器有效

专利信息
申请号: 201720242744.3 申请日: 2017-03-14
公开(公告)号: CN206602169U 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 吴边;黄启满;夏磊;赵雨桐;高嵩 申请(专利权)人: 西安伊艾姆科技有限公司
主分类号: H01P5/12 分类号: H01P5/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 双层 微带 宽带 损耗 功率 分配器
【权利要求书】:

1.一种基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器,其特征在于:包括输入端口(5)、第一输出端口(6)、第二输出端口(7)、设置在输入端口(5)和第一输出端口(6)、第二输出端口(7)之间的多级阻抗功分结构(8)、上微带介质基板(1)和下微带介质基板(2);

所述上微带介质基板(1)和下微带介质基板(2)相贴合,上微带介质基板(1)的上表面和下微带介质基板(2)的下表面均为金属接地面;

所述多级阻抗功分结构(8)包括两组对称的多节阶梯阻抗传输线,其位于下微带介质基板(2)的上表面,两组多节阶梯阻抗传输线之间设有一组隔离电阻(9),对称的两多节阶梯阻抗传输线每节的末端通过一隔离电阻(9)相连。

2.根据权利要求1所述的基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器,其特征在于:所述上微带介质基板(1)和下微带介质基板(2)的接触面、多级阻抗功分结构(8)的两侧均设有金属条带(4);

所述金属条带上开有若干金属化过孔(3),分别贯穿上微带介质基板(1)和下微带介质基板(2),将上微带介质基板(1)的上表面和下微带介质基板(2)的下表面相连通。

3.根据权利要求1所述的基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器,其特征在于:所述上微带介质基板(1)上开有容纳隔离电阻(9)的若干通孔(10),所述通孔(10)为非金属化过孔。

4.根据权利要求1-3任一所述的基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器,其特征在于:所述上微带介质基板(1)和下微带介质基板(2)均为单面覆铜介质基板,覆铜面为金属接地面,非覆铜面相贴合。

5.根据权利要求4所述的基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器,其特征在于:所述上微带介质基板(1)和下微带介质基板(2)均采用介电常数为2.2,板厚均为0.7mm的单面覆铜介质基板。

6.根据权利要求1-3任一所述的基于双层微带的超宽带低损耗功率分配器,其特征在于:所述多节阶梯阻抗传输线为八节阶梯阻抗传输线,对称的两阶梯阻抗传输线每节的末端通过一隔离电阻(9)相连。

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