[实用新型]一种新型传感器信号采集芯片的基准电流测试结构有效
申请号: | 201720242549.0 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN207248986U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 江石根 | 申请(专利权)人: | 苏州格美芯微电子有限公司 |
主分类号: | G01R19/257 | 分类号: | G01R19/257 |
代理公司: | 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 | 代理人: | 刘君 |
地址: | 江苏省苏州市高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 传感器 信号 采集 芯片 基准 电流 测试 结构 | ||
1.一种新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:至少有一组搭建的新电路,至少有一个内部电流引出元件,至少有一个电流测试点,至少有一个电流测试元件;其中,搭建的新电路与原有的基准电流电路完全相同,且搭建的新电路与原有的基准电流电路之间没有接触点,所述的搭建的新电路位于传感器信号采集芯片的内部,该电路通过内部电流引出元件将基准电流引出到芯片外部,并在电流测试点连接有电流测试元件。
2.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:搭建的新电路,可以是单支电路,也可以是含有n条支路的并联电路,n为≥2的自然数。
3.如权利要求2所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:搭建的新电路上的单支电路、或者并联电路的支路上包含晶体管、电阻、电容元件。
4.如权利要求3所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的晶体管包括PMOS管和NMOS管。
5.如权利要求3所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的电阻包括poly电阻、high-poly电阻、ndiff电阻、pdiff电阻、well电阻。
6.如权利要求3所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的电容包括PMOS电容、NMOS电容、PIP电容、MIM电容。
7.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的电流引出元件为金属线。
8.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的电流引出元件为金属线,且在金属线上分布有传输门和/或阻流电阻。
9.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的电流测试点根据实际需求进行确定。
10.如权利要求1所述的新型传感器信号采集芯片的基准电流的测试结构,其特征在于:所述的电流测试元件包括电阻/电压测电流元件、AD转换器。
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