[实用新型]一种基于TEC的激光器温度控制系统有效

专利信息
申请号: 201720236930.6 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN206639063U 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 唐晖;陆怀恩 申请(专利权)人: 广州市爱司凯科技股份有限公司
主分类号: G05D23/20 分类号: G05D23/20
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240 代理人: 王桂名
地址: 510000 广东省广州市中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 tec 激光器 温度 控制系统
【权利要求书】:

1.一种基于TEC的激光器温度控制系统,其特征在于:其包括激光器、单片机和驱动电路,所述的激光器包括热敏电阻和TEC制冷器,热敏电阻放置在TEC制冷器旁边,所述的单片机包括输入模块、输出模块和用于获得参数的通讯模块,输入模块与热敏电阻通讯连接,通讯模块与外部的输入设备通讯连接,输出模块与驱动电路的输入端通讯连接,驱动电路的输出端与TEC制冷器的正负极通讯连接。

2.根据权利要求1所述的基于TEC的激光器温度控制系统,其特征在于:所述的输出模块包括两个信号输出端口PWM1、PWM2,PWM1、PWM2均与驱动电路通讯连接。

3.根据权利要求1所述的基于TEC的激光器温度控制系统,其特征在于:所述的驱动电路包括两个半桥驱动芯片U1、U2、四个N沟道MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、两个功率电感L1、L2、两个自举电容C1、C3、两个滤波电容C2、C4和两个二极管D1、D2;所述的半桥驱动芯片U1的VCC端和SD端均与外接电源连接,COM端接地,VCC端和SD端还与二极管D1的正极电连接,二极管D1的负极分别与半桥驱动芯片U1的VB端、以及自举电容C1的一端连接,自举电容C1的另一端与半桥驱动芯片U1的VS端连接,半桥驱动芯片U1的高端输出口HO和低端输出口LO分别与N沟道MOS管Q1、Q2的栅极电连接,N沟道MOS管Q1的漏极与外接电源连接,源极与N沟道MOS管Q2的漏极连接,N沟道MOS管Q2的源极接地,半桥驱动芯片U1的VS端还分别与N沟道MOS管Q1的源极、N沟道MOS管Q2的栅极、以及功率电感L1的一端连接,功率电感L1的另一端与滤波电容C2的正极和TEC制冷器的正极电连接,滤波电容C2的负极接地;所述的半桥驱动芯片U2的VCC端和SD端均与外接电源连接,COM端接地,VCC端和SD端还与二极管D2的正极电连接,二极管D2的负极分别与半桥驱动芯片U2的VB端、以及自举电容C3的一端连接,自举电容C3的另一端与半桥驱动芯片U2的VS端连接,半桥驱动芯片U2的高端输出口HO和低端输出口LO分别与N沟道MOS管Q3、Q4的栅极电连接,N沟道MOS管Q3的漏极与外接电源连接,源极与N沟道MOS管Q4的漏极连接,N沟道MOS管Q4的源极接地,半桥驱动芯片U2的VS端还分别与N沟道MOS管Q3的源极、N沟道MOS管Q4的栅极、以及功率电感L2的一端连接,功率电感L2的另一端与滤波电容C4的正极和TEC制冷器的负极电连接,滤波电容C2的负极接地。

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