[实用新型]带陷波点的联体式低通滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种滤波器，尤其涉及一种带陷波点的联体式低通滤波器。

背景技术

滤波器的功能就是允许某一部分频率的信号顺利的通过，而另外一部分频率的信号则受到较大的抑制，实质上是一个选频电路。滤波器中，把信号能够通过的频率范围，称为通频带或通带；反之，信号受到很大衰减或完全被抑制的频率范围称为阻带；通带和阻带之间的分界频率称为截止频率。

滤波器按所通过信号的频段分为低通、高通、带通和带阻滤波器四种。其中，低通滤波器的作用是允许信号中的低频或直流分量通过，抑制高频分量或干扰和噪声。然而，现有的低通滤波器存在带外抑制不够的问题，即在实现使用时，需要对某个频率段或者频点实现高抑制时，现有的低通滤波器适应性不够，无法很好地针对某个频率段或者频点进行抑制。

有鉴于此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种带陷波点的联体式低通滤波器，以克服现有技术中存在的不足。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种带陷波点的联体式低通滤波器，其包括：陶瓷基体，所述陶瓷基体具有相对设置的前电路面和后电路面、以及位于所述前电路面和后电路面之间的顶面、底面以及两侧面，所述陶瓷基体的顶面、底面以及两侧侧面分别设置有银层；

所述陶瓷基体中还开设有并排设置的四个通孔，任一所述通孔贯穿所述前电路面和后电路面设置，任一所述通孔的内壁具有内壁银层，所述前电路面上，相邻的两个通孔之间通过银层线相连通，且相邻的两个通孔的银层之间相互耦合，所述后电路面上与地之间具有匹配电容。

作为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的改进，所述相邻的两个通孔之间的银层线的长度和宽度与所述银层线对应的等效电感值呈正比。

作为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的改进，所述相邻的两个通孔的银层之间的耦合电容与银层之间的距离呈正比。

作为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的改进，相互耦合的银层为触角形式。

作为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的改进，所述陶瓷基体的底面设置有输入端口和输出端口，所述输入端口与所述前电路面上位于一侧的通孔电性连接，所述输出端口与所述前电路面上位于另一侧的通孔电性连接。

作为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的改进，所述输入端口延伸至所述陶瓷基体一侧的侧面上，所述输出端口延伸至所述陶瓷基体另一侧的侧面上。

作为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的改进，所述输入端口和输出端口与二者周围的接地银层之间具有隔离区域。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器具有三个并联的谐振结构，上述谐振结构实现了在通带以外增加陷波点的功能，从而加强了对于某一频段或者频点信号的抑制，克服了现有的低通滤波器带外抑制不够的问题。

附图说明

图1为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器一具体实施方式的立体示意图；

图2为图1中低通滤波器的前电路面的平面示意图；

图3为图1中低通滤波器的后电路面的平面示意图；

图4为图1中低通滤波器的底面的局部平面示意图；

图5为本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本实用新型的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本实用新型的保护范围之内。

如图1所示，本实用新型的带陷波点的联体式低通滤波器包括：陶瓷基体10，所述陶瓷基体10具有相对设置的前电路面11和后电路面12、以及位于所述前电路面11和后电路面12之间的顶面、底面以及两侧面，所述陶瓷基体10的顶面、底面以及两侧侧面分别设置有银层。

如图2、3、5所示，所述陶瓷基体10中还开设有并排设置的四个通孔13。其中，任一所述通孔13贯穿所述前电路面11和后电路面12设置，且任一所述通孔13的内壁具有内壁银层，以及印刷于所述前电路面11和/或后电路面12上的银层131。从而，位于两侧的通孔13的内壁银层以及所述陶瓷基体10相邻面的银层之间形成电容C1与电容C4。同时，位于中间的两个通孔13的内壁银层以及所述陶瓷基体10上下两个面的银层之间形成电容C2与电容C3。