[实用新型]低温漂基准电压电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种低温漂基准电压电路。

背景技术

随着科技的发展和生活水平的提高，便携式设备已经是生活中的必需品之一。而混合集成电路设计作为便携式装置的大脑，在得到广泛应用的同时，也面临着更加复杂多变的要求和挑战。混合集成电路的基石—基准电压性能的好坏，直接影响到终端便携式设备的性能体验。基准电压的温度特性，直接决定终端设备的使用温度范围，而基准电路的最低工作电压则限制了终端设备的另一重要性能—续航能力。

传统的带隙基准电压的设计思想是分别产生正、负温度系数的电压，然后通过运算得到零温度系数的基准电压。负温度系数的电压产生较为方便，但是正温度系数基准电压则不容易得到。传统的实现方式中可利用两个工作在不相等电流密度下的三极管的基极-发射极电压的差值来实现。但是其包含的运算放大器的电路设计很难在低电压，如：2V以下的电压条件下正常工作。且为了减少匹配误差，通常选择较大尺寸和较多数量的三极管，这样制作成的集成电路版图较大且花费成本也较高。

传统技术中使用耗尽管结构来实现电路在极低电压下的正常工作，但是由于其温度系数无法保证，输出的基准电压随温度变化波动也较大，温度对基准电压的输出影响较大，很难满足高精度的应用需求。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统使用耗尽管来实现电路在极低电压下正常工作时，温度对输出的基准电压影响较大的问题，提供一种低温漂基准电压电路，能够在极低电压下正常工作的同时，还能够使得输出的基准电压与温度相关性极低。

为达到实用新型目的，提供一种低温漂基准电压电路，所述电路包括第一电压单元，第二电压单元和K倍放大单元；

所述第一电压单元，用于产生第一电压，其第一端接地；

所述K倍放大单元，用于将所述第一电压放大K倍，其第一端与所述第一电压单元的第二端连接，第二端与所述第二电压单元的第一端连接，其中，K为大于零的常数；

所述第二电压单元，用于产生第二电压，其第一端接入电流源电路，第二端与所述第一电压单元的第三端连接后作为基准电压的输出端。

在其中一个实施例中，所述第一电压单元包括NMOS管MN，所述第二电压单元包括PMOS管MP，所述K倍放大单元包括电阻R1和电阻R2，其中：

所述NMOS管MN的源极与所述电阻R2的第一端连接后接地，所述NMOS管MN的栅极与所述电阻R2的第二端连接后与所述电阻R1的第一端连接，所述NMOS管MN的漏极与所述PMOS管MP的漏极及栅极连接后作为所述基准电压的输出端；

所述PMOS管MP的源极与所述电阻R1的第二端连接后接入所述电流源电路。

在其中一个实施例中，所述第一电压单元包括NPN型三极管QN，所述第二电压单元包括PNP型三极管QP，所述K倍放大单元包括电阻R1和电阻R2，其中：

所述NPN型三极管QN的发射极与所述电阻R2的第一端连接后接地，所述NPN型三极管QN的基极与所述电阻R2的第二端连接后与所述电阻R1的第一端连接，所述NPN型三极管QN的集电极与所述PNP型三极管QP的集电极及基极连接后作为所述基准电压的输出端；

所述PNP型三极管QP的发射极与所述电阻R1的第二端连接后接入所述电流源电路。

在其中一个实施例中，所述电流源电路包括电流镜电路。

在其中一个实施例中，所述电流镜电路包括PMOS管MP1，PMOS管MP2，PMOS管MP3，NMOS管MN1，NMOS管MN2和电阻Rs，其中：

所述PMOS管MP1，所述PMOS管MP2和所述PMOS管MP3的源极接入同一电源，所述PMOS管MP2和所述PMOS管MP3的栅极均与所述PMOS管MP1的栅极连接，且所述PMOS管MP3的栅极与所述PMOS管MP2的漏极连接；

所述PMOS管MP1的漏极与所述NMOS管MN1的漏极和栅极连接，所述NMOS管MN1的源极接地；

所述PMOS管MP2的漏极与所述NMOS管MN2的漏极连接，所述NMOS管MN2的栅极与所述NMOS管MN1的栅极连接，且所述NMOS管MN2的源极与所述电阻Rs连接后接地；

所述PMOS管MP3的漏极与所述第二电压单元的第一端连接。

本实用新型还提供一种低温漂基准电压电路，所述系统包括第一电压单元，第二电压单元和K倍放大单元；

所述第一电压单元，用于产生第一电压，其第一端接地；