[实用新型]内部埋置无源元件的微波组件基板结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及微组装技术领域，具体涉及一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构。

背景技术

现代军、民用电子装备，尤其是机载、舰载、星载和车载等雷达和通讯系统，正在向小型化、轻量化、高工作频率、多功能、高可靠和低成本等方向发展，对组装和互联技术提出了越来越高的要求。随着相控阵体制在雷达和通讯等电子整机中的广泛应用，需要研制生产大量小型化、高密度、多功能微波组件。微组装技术是实现电子装备小型化、轻量化、高密度三维互连结构、宽工作频带、高工作频率和高可靠性等目标的重要技术途径。从组装技术发展的规律来看，组装密度每提高10％，电路模块的体积可减少40-50％、重量减少20-30％。微组装技术对减小微波组件的体积和重量，满足现代电子武器装备小型化、轻量化、数字化、低功耗的要求具有重要的意义。微组装技术在航空、航天和船舶等平台的电子装备上得到了越来越广泛的应用。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提供一种能够有效降低损耗的内部埋置无源元件的微波组件基板结构。

考虑到现有技术的上述问题，根据本实用新型的一个方面，为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构，包括低温共烧玻璃陶瓷基层、Ag-Pd系厚膜导体层、BaTiO₃系厚膜电容、RuO₂系厚膜电阻和Ag-Pd系厚膜导体电感，所述低温共烧玻璃陶瓷基层嵌入两所述Ag-Pd系厚膜导体层之间，所述低温共烧玻璃陶瓷基层至少为三层，同层的所述低温共烧玻璃陶瓷基层之间存在间隔，所述间隔处通过设置Ag-Pd系厚膜导体层将上下层级的Ag-Pd系厚膜导体层联通，所述BaTiO₃系厚膜电容、RuO₂系厚膜电阻和Ag-Pd系厚膜导体电感分别嵌入所述Ag-Pd系厚膜导体层内。

为了更好地实现本实用新型，进一步的技术方案是：

根据本实用新型的一个实施方案，所述低温共烧玻璃陶瓷基层为4层，所述Ag-Pd系厚膜导体层为5层。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述Ag-Pd系厚膜导体电感设置于从上至下的第二所述Ag-Pd系厚膜导体层内。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述RuO₂系厚膜电阻设置于从上至下的第三或第四所述Ag-Pd系厚膜导体层内。

根据本实用新型的另一个实施方案，所述BaTiO₃系厚膜电容设置于从上至下的第三所述Ag-Pd系厚膜导体层内。

本实用新型还可以是：

根据本实用新型的另一个实施方案，所述BaTiO₃系厚膜电容的设置方式为：所述Ag-Pd系厚膜导体层分别搭接在所述BaTiO₃系厚膜电容的顶部和底部。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果之一是：

本实用新型的内部埋置无源元件的微波组件基板结构，通过实验发现可有效抑制辐射损耗，可以补偿通孔带来的电感效应。从实测结果来看，在13GHz以下损耗均小于1dB，可以满足微波组件的应用要求。

附图说明

为了更清楚的说明本申请文件实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是对本申请文件中一些实施例的参考，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图得到其它的附图。

图1为根据本实用新型一个实施例的内部埋置无源元件的微波组件基板结构示意图。

其中，附图中的附图标记所对应的名称为：

1－低温共烧玻璃陶瓷基层，2－Ag-Pd系厚膜导体层，3－BaTiO₃系厚膜电容，4－RuO₂系厚膜电阻，5－Ag-Pd系厚膜导体电感，6－间隔。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。