[实用新型]一种反激输出高压二极管替代电路

说明书

技术领域

本发明涉及电学领域，尤其涉及一种反激输出高压二极管替代电路。

背景技术

LED驱动电源使用反激拓扑实现时，当输出电压较高时，对输出整流二极管的反向耐压要求相应提高了，输出电压越高EMI越差，但现在应用比较广泛的高压二极管反向耐压也仅有1200V，而且反向恢复慢，价格很高，可靠性也没有常见的快恢复二极管高。

图1是常见的反激拓扑图，反激电源输出二极管的电压应力随着输出电压升高而升高，且存在电压尖峰,具体表述为：Vdiode＝Vin/N+Vo+Vspike，其中Vdiode表示输出二极管的电压峰值，Vin表示反激变换器的输入电压，N表示变压器的匝比，匝比＝Np/Ns，Vo表示输出电压，Vspike表示尖峰电压部分。当输出电压比较高时，比如300V以上时，由于常规的二极管最大规格一般为1200V，而反激的电压尖峰在启动及雷击浪涌测试时会到300V甚至500V，可知在这种情况下需要调整变压器匝比才能确保二极管的应力不会超过其额定值，由于这一限制，反激变换器很难达到优化设计。

一般的解决方案是再串联一个二极管，如图2所示。图2所示两个二极管在实际运用时会有不能均压的问题，这在业界是一个常识性问题。分压不均的问题与二极管的批次、散热、杂散电容等有关，换言之，若单个二极管应力需要1000V，换成二个二极管串联的时候，不能更换成两个600V或者500V的二极管，更换成2个800V的二极管会在雷击浪涌的时候出现单颗二极管应力超标的问题，并且成本增加很多，更换成2个1000V的二极管则没有实际意义。同理，若采用单个1200V的二极管会出现应力超标的问题，由于没有更高的规格二极管可选，需要被迫更换成两个1200V的二极管串联才有可能解决问题，事实上由于二极管批次问题，两个串联的形式不能完全保证解决应力超标的问题，更不用说成本的增加以及效率降低了。

为了解决二极管应力太大而无器件可选的问题，本发明提出了一种增加一个辅助二极管的方法。

发明内容

为了解决现有技术存在的问题，本发明提出了降低元器件成本低，改善电磁干扰特性，反激输出高压二极管替代电路，当输出高压的时候，由于二极管耐压的问题，有可能不能采用反激拓扑，本方案使继续沿用反激拓扑成为可能。

本发明采用了以下技术方案：

本发明包括变压器、滤波单元、负载，所述的变压器包括初级绕组、铁芯以及次级绕组；还包括第一二极管、第二二极管、电压箝位单元；

所述的次级绕组串联第一二极管、第二二极管和负载；所述的次级绕组包括第一端子和第二端子，所述的第一端子连接所述的第一二极管的阳极；所述的所述的第一二极管和所述的第二二极管同向串联；所述的电压箝位单元的一端连接所述的第一二极管的阴极，所述的电压箝位单元的另一端连接所述的第二端子。

作为优选，所述的电压箝位单元包括第三二极管，所述的第三二极管的阴极连接所述的第一二极管的阴极，所述的第三二极管的阳极连接所述的第二端子。

作为优选，所述的电压箝位单元还包括三极管，所述的三极管与所述的第三二极管相互并联；所述的三极管的集电极连接所述的第一二极管的阴极，所述的三极管的发射极连接所述的第二端子。

作为优选，所述的电压箝位单元包括MOSFET，所述的MOSFET的漏极连接所述的第一二极管的阴极，所述的MOSFET的源极连接所述的第二端子。

作为优选，所述的电压箝位单元包括电阻。

作为优选，所述的第二二极管的阳极连接所述的电压箝位单元，所述的第二二极管的阴极连接负载。

作为优选，所述的第二二极管的阳极连接负载，所述的第二二极管的阴极连接所述的电压箝位单元。

作为优选，所述的滤波单元与所述的负载并联。

作为优选，所述的滤波单元为电容。