[实用新型]基于RockChipPX2平台的控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种车载设备技术领域，尤其涉及一种基于RockChip PX2平台的控制电路。

背景技术

目前，大部分的安卓设备按存储器类型可以分为MASKROM（掩模型只读存储器），OTPROM（One Time Programmable Read-Only Memory一次编程只读存储器），FLASHROM（快速擦写只读编程器）等类型。而RockChip PX2平台是使用MASKROM类型的FLASH。

一般来说，MASKROM设备FLASH模块的供电VCC_NAND时序要求在系统电压之后，为了保持供电的稳定性和系统时序的要求，MASKROM设备的FLASH要求系统电压经LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压器）转换后进行供电，并在LDO的PWR_EN加上相应的延时来满足时序要求。

如图1所示，RT9167-30为LDO，SHDN为LDO的PWR_EN，VSYS为系统电源，VCC_NAND给FLASH进行供电，R2串联在LDO的PWR_EN上作延时作用，使得VCC_NAND满足系统的时序要求。

如图2所示，正常上电时，由于R2的延时作用，PWR_EN上升比较慢，LDO开启阈值延后VSYS起来，VCC_NAND延后VSYS起来，满足系统时序要求。

如图3所示，正常下电时，由于R2的延时作用，PWR_EN的下电时序比VSYS和VCC_NAND要慢。

由上可知，由于LDO的PWR_EN上的串联电阻在上电的时候起到延时的作用，使得VCC_NAND时序满足系统要求，但是在系统快速上下电的时候，可能会出现时序异常。

具体地，当下电后马上快速上电时，由于串联R2的延时作用，PWR_EN下降得比VSYS和VCC_NAND要慢很多；在再次上电前，PWR_EN电压还在LDO开启的阈值之上；上电后，VCC_NAND就随着VSYS马上起来了，导致VCC_NAND的时序并没有在VSYS之后。

如图4所示，实际测试中，当下电后快速上电，由于时序不能达到要求，系统可能会不正常进入MASKROM模式。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种结构简单、稳定性强的基于RockChip PX2平台的控制电路，可保证FLASH的上下电时序都满足系统时序的要求，杜绝了系统不正常进入MASKROM的情况。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种基于RockChip PX2平台的控制电路，包括相互电连接的LOD转换电路及延时电路，所述延时电路包括第一电阻、第二电阻及第六电容，所述第一电阻的一端接地且另一端与LOD转换电路电连接，所述第二电阻的一端与IO电源电连接且另一端与LOD转换电路电连接，所述第六电容的一端接地且另一端与LOD转换电路电连接，其特征在于，所述基于RockChip PX2平台的控制电路还包括钳位电路；所述钳位电路包括第一二极管及第二二极管，所述第二电阻的另一端通过第一二极管与LOD转换电路电连接，所述第六电容的另一端通过第一二极管与LOD转换电路电连接，所述第二二极管的负极与IO电源电连接且正极通过第一二极管与LOD转换电路电连接。

作为上述方案的改进，所述第一二极管的正极分别与第二电阻、第六电容及第二二极管电连接，所述第一二极管的负极与LOD转换电路电连接。

作为上述方案的改进，所述LOD转换电路上设置有控制芯片，所述控制芯片上设置有SHDN引脚，所述第一二极管的负极与LOD转换电路中的SHDN引脚电连接。

实施本实用新型的有益效果在于：

本实用新型基于RockChip PX2平台的控制电路中增设有钳位电路，通过将钳位电路与现有的LOD转换电路及延时电路相结合，构成具有钳位及延时功能的控制电路。

在钳位电路的作用下，本实用新型给控制芯片的SHDN引脚上下电提供了不同的通路，保证了系统无论在何种使用情况下，FLASH的上下电时序都满足系统时序的要求，杜绝了系统不正常进入MASKROM的情况，提供系统使用的鲁棒性。具体地，钳位电路在下电时给控制芯片中的SHDN引脚提供下电通路，而上电时还是通过原有的延时电路对SHDN引脚进行延时处理，保证系统的上下电时序正常。

附图说明

图1是现有的控制电路的电路图；

图2是采用图1电路时，正常上电时序图；

图3是采用图1电路时，正常下电时序图；

图4是采用图1电路时，快速上电、下电时序图；