[实用新型]一种集成电极的冲击片起爆器有效

专利信息
申请号: 201720087562.3 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN206450145U 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 孙秀娟;付秋菠;王窈;杨爽;郭菲 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
主分类号: F42C19/08 分类号: F42C19/08
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所51213 代理人: 秦华云
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 电极 冲击 起爆
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及火工品技术领域,尤其涉及一种集成电极的冲击片起爆器。

背景技术

冲击片雷管是一种只对短脉冲敏感的高能火工品,最早是由美国劳伦斯利弗莫尔实验室的J.R.Stroud在美国战备协会弹药技术部引信部的年会上提出的,由于其突出的安全性和优良的可靠性,受到研究机构和军方的广泛关注,使其快速发展并在直列式引信中获得广泛应用。由于战场环境的需求,引信系统一直以小型化、集成化为发展方向,尤其是随着MEMS技术的发展,引信系统的集成度越来越高,相应的冲击片雷管的集成度也不断提升。已有专利公开了一种集成冲击片换能单元,将反射片、爆炸箔、飞片、炮筒集成为一体化部件,大幅减少了零部件数量,很大程度上缓解了冲击片起爆器检测、加工周期长的问题。但是该冲击片组件需要另外焊接电极才能与起爆系统连接,而焊点的质量和强度都会对起爆器的可靠性产生影响。为了进一步简化装配流程,提高加工一致性,保证产品质量和可靠性,有必要设计一种集成电极的冲击片起爆器。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足之处,本实用新型的目的在于提供一种集成电极的冲击片起爆器,本实用新型的上电极芯层、爆炸箔、下电极芯层构成一个电路回路,爆炸箔通电后电爆炸产生等离子体冲击飞片层,使得飞片层从加速膛的加速膛孔飞出,击发装药实现冲击片起爆作用。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现:

一种集成电极的冲击片起爆器,包括反射片、集成电极组件、爆炸箔、飞片层和加速膛,所述集成电极组件端部上表面设有爆炸箔,在爆炸箔上方叠放 有飞片层,所述集成电极组件端部下表面配合设有反射片,所述集成电极组件端部上表面还设有加速膛,所述加速膛与反射片之间紧密夹持住集成电极组件端部,所述飞片层、爆炸箔上下重叠位于加速膛下表面与集成电极组件端部上表面之间,所述加速膛对应爆炸箔中心设有加速膛孔;所述集成电极组件由下绝缘层、下电极芯层、中间绝缘层、上电极芯层、上绝缘层、爆炸箔、飞片层从下至上依次压合而成,所述下电极芯层与爆炸箔的一端电路连接,所述上电极芯层与爆炸箔的另一端电路连接。

本实用新型提供第一种优选的冲击片起爆器结构技术方案:所述加速膛整体呈长方体形状,所述爆炸箔包括大头方形端和小头方形端,爆炸箔的大头方形端与小头方形端通过收缩颈部配合电连接,所述爆炸箔的大头方形端与收缩颈部渐变过渡,所述爆炸箔的小头方形端与收缩颈部渐变过渡,所述加速膛的加速膛孔与爆炸箔的收缩颈部上下位置相对应;所述下电极芯层通过电镀过孔结构与爆炸箔的大头方形端电连接,所述上电极芯层与爆炸箔的小头方形端通过压合电连接方式电连接。

本实用新型的第一种冲击片起爆器优选的结构技术方案是:所述上电极芯层、下电极芯层由铜材料制造,所述爆炸箔由铜膜厚度为3μm~12μm的聚酰亚胺覆铜膜材料通过光刻技术刻蚀制造,所述飞片层由厚度为10μm~99μm的聚酰亚胺膜材料制造,所述下绝缘层、中间绝缘层、上绝缘层由聚酰亚胺材料制造。

本实用新型的第一种冲击片起爆器优选的加速膛、飞片层配合结构技术方案是:所述加速膛由聚酰亚胺材料或硬质电路板材制造而成,所述飞片层呈与加速膛相配合的长方形形状,所述反射片呈与加速膛相配合的长方体形状,所述反射片为非金属板材料制造。

本实用新型提供第二种优选的冲击片起爆器结构技术方案:所述加速膛整体呈圆柱体形状,所述爆炸箔包括扇形端A和扇形端B,爆炸箔的扇形端A与扇形端B通过收缩颈部配合电连接,所述爆炸箔的扇形端A与收缩颈部渐变过渡,所述爆炸箔的扇形端B与收缩颈部渐变过渡,所述加速膛的加速膛孔与爆炸箔 的收缩颈部上下位置相对应;所述下电极芯层通过电镀过孔结构与爆炸箔的扇形端B电连接,所述上电极芯层通过电镀过孔结构与爆炸箔的扇形端A电连接。

本实用新型提供第二种优选的冲击片起爆器结构技术方案:所述上电极芯层具有与扇形端A相配合的长条连接部,所述上电极芯层的长条连接部通过电镀过孔结构与爆炸箔的扇形端A电连接;所述下电极芯层具有与扇形端B相配合的长条连接部,所述下电极芯层的长条连接部通过电镀过孔结构与爆炸箔的扇形端B电连接。

本实用新型提供第二种优选的冲击片起爆器结构技术方案:所述上电极芯层、下电极芯层由铜材料制造,所述爆炸箔由铜膜厚度为3μm~12μm的聚酰亚胺覆铜膜材料通过光刻技术刻蚀制造,所述飞片层由厚度为10μm~99μm的聚酰亚胺膜材料制造,所述下绝缘层、中间绝缘层、上绝缘层由聚酰亚胺材料制造。

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