[实用新型]一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器有效
| 申请号： | 201720043273.3 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN206533026U | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 谭成桥;何海凤;李小染 | 申请（专利权）人： | 北京镭志威光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11;H01S3/109;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 倍频 技术 超小型 532 nm 固体激光器 | ||
1.一种基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：包括泵浦源、光学耦合系统、Nd：YVO4晶体、全反镜、LBO倍频晶体和输出镜，所述Nd:YVO4晶体的长度为3mm，并且前端面镀808nmAR/1064&532nmHR膜，另一面镀1064nm&532nmAR膜；所述泵浦源发出的激光通过光学耦合系统耦合至增益介质Nd:YVO4晶体上，所述输出镜放置在Nd:YVO4晶体后面；所述LBO晶体两端镀1064nm@532nmAR膜，实现1064nm激光向532nm的频率转换，放置在折叠谐振腔的另一个臂上，所述Nd:YVO4晶体及LBO倍频晶体周围分别设置紫铜散热装置，所述紫铜散热装置分别紧贴Nd:YVO4晶体及LBO倍频晶体周围设置，最后经过输出镜输出532nm绿光激光。
2.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述Nd:YVO4晶体通过调整制冷器温控电流使所述泵浦源的发射波长为808.5nm，与Nd:YVO4晶体的吸收峰相匹配。
3.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述光学耦合系统采用非球面透镜。
4.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述全反镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为100mm，镀1064nm&532nmHR膜。
5.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述LBO晶体长度为10mm。
6.根据权利要求1所述的基于腔内倍频技术的超小型532nm固体激光器，其特征在于：所述输出镜为平凹镜，其凹面的曲率半径为50mm，镀1064nmHR/532nmAR膜，平面镀532nmAR膜。
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