[实用新型]一种单陷波超宽带单极子天线

权利要求书

1.一种单陷波超宽带单极子天线，包括介质基板，所述介质基板的下表面设置有接地板，所述介质基板的上表面设置有辐射贴片以及与所述辐射贴片相连的微带馈线，其特征在于，所述介质基板为长方形介质基板，所述辐射贴片覆盖所述介质基板的上部，所述微带馈线与所述辐射贴片的下边缘的中心处相连且沿所述长方形介质基板的长边方向向下延伸，所述微带馈线的中部刻蚀有带阻谐振单元。

2.根据权利要求1所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述辐射贴片下部开设有穿透所述辐射贴片的透孔。

3.根据权利要求2所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述辐射贴片和透孔分别为长轴沿长方形介质基板的宽边方向延伸的椭圆形辐射贴片和椭圆形透孔，且所述椭圆形辐射贴片的中心与所述椭圆形透孔的中心不重合，所述椭圆形辐射贴片的短轴与所述椭圆形透孔的短轴共线且与所述长方形介质基板的长边平行；所述椭圆形辐射贴片的长轴与短轴的比值与所述椭圆形透孔的长轴与短轴的比值相同。

4.根据权利要求3所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述带阻谐振单元包括刻蚀在所述微带馈线上并沿所述微带馈线长度方向延伸的缝隙，在所述缝隙内沿所述微带馈线长度方向延伸设置有平行且具有耦合间隔的第一耦合线和第二耦合线，所述第一耦合线的上端一体连接所述缝隙的上边，所述第一耦合线的下端为开路的自由端，所述第二耦合线的下端一体连接所述缝隙的下边，所述第二耦合线的上端为开路的自由端。

5.根据权利要求4所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述接地板覆盖所述介质基板下表面的下部，所述接地板包括长轴沿长方形介质基板的宽边方向延伸的半椭圆形接地板和与所述半椭圆形接地板一体相连的矩形接地板，所述半椭圆形接地板与所述椭圆形辐射贴片的长轴相等，短轴也相等；所述半椭圆形接地板的短轴顶点的切线与所述椭圆形辐射贴片下部短轴顶点的切线在所述介质基板平面上的投影重合。

6.根据权利要求5所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述半椭圆形接地板的短轴顶点处开设有向所述半椭圆形接地板的中心凹陷的凹槽。

7.根据权利要求6所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述介质基板的长边为30mm、宽边为20mm、厚度为1mm；

所述椭圆形辐射贴片上部的短轴顶点与所述介质基板的上部宽边相切，所述椭圆形辐射贴片的长轴的两个顶点分别与所述介质基板的两侧长边相切；所述椭圆形辐射贴片的长轴为20mm、短轴为16mm；所述椭圆形透孔的长轴为10mm、短轴为8mm，所述椭圆形辐射贴片的中心与所述椭圆形透孔的中心之间的间距为3.5mm；

所述微带馈线的长度为14mm，宽度为2mm；所述带阻谐振单元上所刻蚀的缝隙为矩形缝隙，所述矩形缝隙的长度为5mm、宽度为1.6mm，所述矩形缝隙的上边与所述微带馈线的上边之间的距离以及矩形缝隙的下边与微带馈线的下边之间的距离均为4.5mm；所述第一耦合线和第二耦合线的长度均为4.8mm、宽度均为0.2mm，所述第一耦合线和第二耦合线之间的耦合间隔为0.1mm；所述第一耦合线的右侧边与所述矩形缝隙的右侧边之间的距离以及第二耦合线的左侧边与矩形缝隙的左侧边之间的距离均为0.55mm。

8.根据权利要求7所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述凹槽为矩形凹槽，所述矩形凹槽的宽度为4mm、凹陷深度为2mm。

9.根据权利要求8所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述单陷波超宽带单极子天线的工作频率范围是3.1GHz～10.6GHz，陷波范围是5GHz～6GHz。

10.根据权利要求1～9任一项所述的单陷波超宽带单极子天线，其特征在于，所述介质基板的材料是环氧树脂材料，其相对介电常数为4.1，介电损耗正切值为0.02；所述微带馈线的特性阻抗为50欧姆。