[实用新型]一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及纳米石墨烯材料薄膜，尤其是涉及一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜。

背景技术

过去迳以化学气相沉积系统成长的纳米石墨烯材料，该化学气相沉积系统的高温制程限制了其在玻璃或软性基板上的应用。而近年来发展的技术中，利用配置纳米石墨烯材料的溶液或胶体，并沉积纳米石墨烯材料于基板形成薄膜，该技术满足低温制备纳米石墨烯材料薄膜的要求，然而该纳米石墨烯材料薄膜的导电、导热特性仍有待提升。部分研究显示，透过添加导电高分子或贵重金属纳米粒子能有效改善薄膜的导电、导热特性，然其添加的有机物、金属将对元件造成污染以及可靠度的疑虑，且制程不利与其他元件整合。

发明内容

本发明的目的是解决上述提出的问题，提供一种不仅简单、低成本、无有机或金属添加以及可大面积制程的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜。

本发明的目的是以如下方式实现的：一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，具有复合层结构，依次包括第一基板、第二基板，所述第一基板与第二基板的之间具有纳米石墨烯材料薄膜，并通过升温与加压的作用。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述纳米石墨烯材料薄膜间接或直接沉积于第一基板，亦或整合于单一电子元件或电子元件阵列，并利用该纳米石墨烯材料薄膜作导电或导热层。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述纳米石墨烯材料可以是巴克球、C-60、石墨烯、纳米碳管、纳米金属线、半导体、金属氧化物等任一径向在纳米等级的材料。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述沉积技术是真空抽滤、旋涂、喷涂、超音波喷涂、网印、电泳、转移、物理气相沉积法、化学气相沉积法、水热法等可在任一载具上形成薄膜的技术。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述薄膜厚度范围可以是1纳米至10公分。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，该纳米石墨烯材料薄膜可以是整面、图案化，亦或利用蚀刻或转移完成图案化的纳米石墨烯材料薄膜。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述第一基板和第二基板是硅晶圆、半导体、石英、玻璃、金属箔、塑胶、陶瓷用以承载该纳米石墨烯材料薄膜的基板。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述升温的温度范围可以是室温至 1000℃任何加热形式所能达到的温度。

上述的一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，所述的加压作用，该加压范围可以是1pa 至1000T pa任何加压形式所能达到的压力。

本发明的优点：本发明提出一种新颖的纳米石墨烯材料薄膜，首先提供至少一具有纳米石墨烯材料薄膜的基板，与另一基板接合，在升温与加压作用下，有效提升其纳米石墨烯材料薄膜的导电、导热特性。该纳米石墨烯材料薄膜可直接沉积于基板，亦或利用蚀刻或转移完成薄膜的沉积，做为单一电子元件或电子元件阵列的导电、散热层。

此纳米石墨烯材料薄膜可制备于具可挠性、可轮轴制程、可裁性等基板，除大幅提升纳米石墨烯材料薄膜的导电、导热特性，亦可大幅降低应用在相关电子元件的成本。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明的实施例1的结构示意图。

具体实施方式：

实施例1

见图1和图2所示，一种热压转移的纳米石墨烯材料薄膜，具有复合层结构，依次包括第一基板1、第二基板2，所述第一基板1与第二基板2的间具有纳米石墨烯材料薄膜3，并在升温与加压作用下。所述纳米石墨烯材料薄膜3间接或直接沉积于第一基板1，亦或整合于单一电子元件或电子元件阵列，并利用该纳米石墨烯材料薄膜3作导电或导热层。所述纳米石墨烯材料可以是巴克球、C-60、石墨烯、纳米碳管、纳米金属线、半导体、金属氧化物等任一径向在纳米等级的材料。所述沉积技术，该沉积技术是真空抽滤、旋涂、喷涂、超音波喷涂、网印、电泳、转移、物理气相沉积法、化学气相沉积法、水热法等可在任一载具上形成薄膜的技术。所述薄膜厚度范围可以是1纳米至10公分。该纳米石墨烯材料薄膜可以是整面、图案化，亦或利用蚀刻或转移完成图案化的纳米石墨烯材料薄膜。所述第一基板 1和第二基板2是硅晶圆、半导体、石英、玻璃、金属箔、塑胶、陶瓷用以承载该纳米石墨烯材料薄膜的基板。所述升温作用，该温度范围可以是室温至1000℃任何加热形式所能达到的温度。所述的加压作用，该加压范围可以是1pa至1000T pa任何加压形式所能达到的压力。