[发明专利]基于PS小球纳米掩模的聚酰亚胺纳米结构的制备方法在审
| 申请号： | 201711478053.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108358161A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 何洋;吕湘连;苑伟政;王颖;卢江波;楼之源 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 陈星 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 小球 纳米结构 聚酰亚胺薄膜 聚酰亚胺 刻蚀 制备 掩模 四氟化碳气体 可控制 含硅聚酰亚胺 微纳结构 胶体球 全参数 微器件 掩膜版 单层 薄膜 复合 加工 | ||
【权利要求书】：
1.基于PS小球为掩模的含硅聚酰亚胺纳米结构制备的方法,其特征在于，具体包括如下步骤：
步骤一：利用酸碱表面处理法对含硅聚酰亚胺薄膜表面进行改性，提高表面粘接性能；
步骤二：制备单层致密PS小球纳米掩膜；
步骤三：将单层致密PS小球纳米掩膜复合于含硅聚酰亚胺薄膜之上；
步骤四：使用氧气对含硅的聚酰亚胺进行RIE刻蚀，以调节PS纳米掩膜间距及半径；
步骤五：聚酰亚胺纳米结构全参数可控制备：包括两个子步骤：
子步骤一：使用四氟化碳气体对含硅的聚酰亚胺进行RIE刻蚀；
子步骤二：将刻蚀后的含硅聚酰亚胺基底放在四氢呋喃中浸泡，去除含硅聚酰亚胺薄膜表面的PS小球纳米掩膜，得到含硅聚酰亚胺纳米结构。
2.如权利要求1所述的基于PS小球为掩模的含硅聚酰亚胺纳米结构制备的方法,其特征在于，所述子步骤一中RIE刻蚀过程中，使用四氟化碳气体的同时还加入氧气。
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