[发明专利]一种用于钮面料产品的镜面铜带生产工艺在审

专利信息
申请号: 201711477279.2 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN107971711A 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 舒良;路超;汤宗保;安文斌 申请(专利权)人: 安徽楚江科技新材料股份有限公司
主分类号: B23P15/00 分类号: B23P15/00
代理公司: 南京知识律师事务所32207 代理人: 高桂珍
地址: 241000*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 面料 产品 镜面铜带 生产工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种铜板带生产工艺技术领域,尤其涉及到一种用于钮面料产品的镜面铜带生产工艺。

背景技术

钮面料产品作为服辅行业产品中细分的高端行业,该行业产品对表面质量控制与产品性能控制要求极高,其中,在表面质量管控上要求为镜面,其表面粗糙度要求在0.08 um -0.12 um 之间,且其表面要求无显著的色差、亮印,杜绝划伤、亮线等缺陷,在满足表面质量的同时,还要求其性能满足HV75-85,综上,由于生产钮面料产品的铜带质量直接影响钮面料产品的性能,故其生产要求严格,性能指标要求较高。

但是,目前用于钮面料产品生产的铜带,其生产工艺过程中的退火质量较差,参数设置不理想,且生产运作繁琐,使得生产出的铜带不能满足钮面料产品的生产要求,因此目前亟需要优化原有的生产工艺,提高铜带表面质量及其性能,满足钮面料产品的生产要求,降低车间成本、提高生产利润。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明在于克服现有技术中用于钮面料产品生产的铜带,其生产工艺复杂、生产质量差等问题的不足,提供了一种用于钮面料产品的镜面铜带生产工艺,采用本发明的技术方案能够有效提高铜带表面质量及其性能,从而满足钮面料产品的生产要求,进而降低车间成本、提高生产利润。

技术方案

为达到上述目的,本发明提供的技术方案为:

本发明的一种用于钮面料产品的镜面铜带生产工艺,其步骤如下:

(1)熔炼铸锭;(2)锯切;(3)热轧;(4)铣面;(5)粗轧,其中,粗轧后带卷的规定厚度为2.5mm;(6)一次退火;(7)一次清洗;(8)中轧;(9)二次退火;(10)二次清洗;(11)中精轧;(12)三次退火;(13)精轧;(14)四次退火;(15)检验交付。

作为本发明进一步改进,步骤(1)中:将电解铜板及锌锭按照H65黄铜的成分标准称重好后,根据两种材料的熔点不同,先将电解铜加入铜水炉内进行加热熔化后,再将锌锭加入熔化,烊铜过程中按照要求添加精炼剂及覆盖剂,精炼剂为铜合金精炼清渣剂,覆盖剂为米糠,通过搅拌、捞渣成分检验后,待调整熔化的铜水温度为1030-1080℃时,再将铜水炉内熔化的铜水通过流管本体浇入水冷结晶器内,采用专用拉铸机拉铸出厚度为260mm的铸锭,在拉铸过程中为了保证铸坯质量,需要采用干硼砂对铜水进行覆盖 ,保证铸坯表面质量,无夹渣、气孔等异常,且拉铸机进行拉铸铜锭时,当铜水中铅的含量小于150ppm,拉铸速度为17rpm,冷却水压为0.2Mpa;当铜水中铅的含量大于150ppm且小于200ppm,拉铸速度为14rpm,冷却水压为0.25Mpa;步骤(2)中:对步骤(1)中厚度为260mm的铸锭进行锯切,头部锯切长度控制在8-10cm,尾部锯切长度控制在20-25cm。

作为本发明进一步改进,步骤(3)中:将经步骤(2)锯切后的铸锭依次加入步进炉内进行加热,锭坯步进间距为574mm,步进速度为27648mm/min,使得铸锭加热5小时铸锭温度达到870℃后,进入二辊热轧机进行多道次轧制,热轧机规格为φ650*650mm,轧制速度100m/min,热轧机冷却采用乳化液冷却,乳化液质量浓度为0.3%,待铸锭轧制到17.0mm后进行在线水冷,最后采用五辊无芯打卷机卷取卸料;步骤(4)中:将步骤(3)热轧后厚度为17.0mm的带坯采用铣床对其上下表面进行铣削,铣削速度为5m/min,带坯上下表面铣削量为各0.8mm,铣削后表面粗糙度控制在1.6Ra/um以内;步骤(5)中:将经步骤(4)铣面后15.4mm的带坯进行多道次粗轧,轧制到2.5mm后卸卷,粗轧机规格为φ250/450*500mm,轧制速度为180m/min,粗轧机采用乳液润滑,乳液质量浓度为3%。

作为本发明进一步改进,步骤(6)中:将步骤(5)粗轧后厚度为2.5mm的带卷采用钟罩式退火炉进行退火,具体退火过程为:将2.5mm带卷投入罩式炉中,经过3.5小时升温至480℃,然后保温5小时,保温结束后炉冷至常温取出;步骤(7)中:将步骤(6)一次退火后的厚度为2.5mm的带卷依次采用酸洗→清水冲洗→抛光→热水冲洗→钝化→烘干→收卷的方式进行处理,其中,采用硫酸酸洗,硫酸质量浓度为12%;采用240目单股丝刷抛光,刷毛材质为碳化硅,抛光转速为600 r/min,清洗速度为30m/min。

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