[发明专利]射频收发开关

权利要求书

1.一种射频收发开关，其特征在于：所述射频收发开关包括：

在发射模式时用于信号发射、在接收模式时用于信号接收的天线端；

用于将待发射信号输入所述射频收发开关的发射端；

将待发射信号耦合至所述天线端的发射端变换器；

在发射模式时与所述发射端变换器共同构成发射匹配网络的第一电容；

在接收模式时与所述第一电容共同构成接收匹配网络的接收匹配子网络；

用于将待接收信号输出所述射频收发开关的接收端；

用于选择发射模式或接收模式的射频开关模块；

所述天线端的连接节点分为两条一级支路，所述发射端和所述发射端变换器相串联并与所述连接节点相连接而构成第一条所述一级支路，所述第一电容的一端与所述连接节点相连接而构成第二条所述一级支路，所述第一电容的另一端分为两条二级支路，所述接收匹配子网络和所述接收端相串联并与所述第一电容的另一端相连接构成第一条所述二级支路，所述射频开关模块的一端与所述第一电容的另一端相连接、另一端接地而构成第二条所述二级支路；

所述接收匹配子网络包括电感或电容或电感和电容的组合；

在发射模式时，所述射频开关模块闭合，待发射信号在所述发射端与所述天线端之间传输；在接收模式时，所述射频开关模块断开，待接收信号在所述天线端与所述接收端之间传输。

2.根据权利要求1所述的射频收发开关，其特征在于：所述射频开关模块包括射频开关管，所述射频开关管的栅端经第一电阻而形成第一控制端，所述射频开关管的漏端与所述第一电容相连接，所述射频开关管的源端与第二电容相连接并经与所述第二电容并联的第二电阻而形成第二控制端；

当所述第一控制端所接电位高于所述第二控制端所接电位时，所述射频收发开关处于发射模式，当所述第一控制端所接电位低于所述第二控制端所接电位时，所述射频收发开关处于接收模式。

3.根据权利要求1所述的射频收发开关，其特征在于：所述射频开关模块包括三极管，所述三极管的基极经第一电阻而形成第一控制端，所述三极管的集电极与所述第一电容相连接并经第二电阻而形成第二控制端，所述三极管的发射极接地；

当所述第一控制端所接电位和所述第二控制端所接电位均为高电位时，所述射频收发开关处于发射模式，当所述第一控制端所接电位和所述第二控制端所接电位均为低电位时，所述射频收发开关处于接收模式。

4.根据权利要求1所述的射频收发开关，其特征在于：所述射频开关模块包括二极管，

所述二极管的正极经第一电阻而形成第一控制端，所述二极管的正极与所述第一电容相连接，所述二极管的负极接地；

当所述第一控制端所接电位为高电位时，所述射频收发开关处于发射模式，当所述第一控制端所接电位为低电位时，所述射频收发开关处于接收模式。

5.根据权利要求1所述的射频收发开关，其特征在于：所述发射端变换器包括相耦合的发射线圈和天线线圈，所述发射线圈的两端均连接至所述发射端，所述天线线圈的一端与所述天线端相连接、另一端接地。

6.根据权利要求1所述的射频收发开关，其特征在于：所述射频收发开关采用标准CMOS工艺实现。