[发明专利]一种电量数据存储方法、系统及一种电量数据存储设备

说明书

本发明公开了一种电量数据存储方法包括：当产生单位电量的累加时，查询当前时刻电量数据的整数部分的整数存储页数，并根据整数部分计算电量数据的小数部分的小数存储页数；将电量数据的整数部分存储至整数存储页数，小数部分存储至小数存储页数；其中，电量数据的整数部分存储在flash中的N页，小数部分存储在所述flash中的M页，M、N为大于1的整数，M为N的整数倍。本发明公开的电量数据存储方法，使用具有IAP功能的flash存贮程序和电能数据，确保了电量数据安全性。本发明还公开了一种电量数据存储系统及一种电量数据存储设备和一种计算机可读存储介质，同样能实现上述技术效果。

技术领域

本发明涉及电能表技术领域，更具体地说，涉及一种电量数据存储方法、系统及一种电量数据存储设备和一种计算机可读存储介质。

背景技术

电能表设计中，最重要的数据就是电量数据，在通常的设计中，都会采用专用的外部存贮芯片，例如EEPROM(英文全称：Electrically-Erasable Programmable Read-OnlyMemory，中文全称：电子抹除式可复写只读存储器)来存贮这些数据。但是随着IAP技术在芯片中的普及，同时芯片用于存贮程序的flash(一种存储芯片，英文全称：Flash EEPROMMemory)空间也越来越大的同时，价格没有相应的增加，很多设计者都希望通过IAP(在应用可编程，英文全称：In-Application programmable)功能，将电量数据存贮在内部flash中。这样既可以大大节约成本，也能提高数据存贮的可靠性。

由于flash只能进行页擦除，通常一页512字节，无法对某一个数据进行反复擦写。另外flash擦写次数通常只有2～10万次，对比EEPROM的擦写次数为100万次，因此存贮同样的电量，需要用到更多的flash空间。现有技术中当电能表有电时，利用内部RAM(英文全称：random access memory，中文全称：随机存取存储器)存贮电量数据，当检测到将要停电时，将RAM中的电量数据拷贝到flash中。

现有技术中，当程序来不及响应掉电事件时，就会造成电量数据的丢失，而且这个丢失的电量数据是不可控的，也就是说，有电运行的时间越长，如果掉电的时候来不及存贮电量数据，则丢失的电量就会越多。

因此，如何确保即使在频繁上下电操作时，flash的擦除不会影响到电量数据的存贮是本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电量数据存储方法、系统及一种电量数据存储设备和一种计算机可读存储介质，确保了即使在频繁上下电操作时，flash的擦除都不会影响到电量数据的存贮。

为实现上述目的，本发明实施例提供了一种电量数据存储方法，包括：

当产生单位电量的累加时，查询当前时刻电量数据的整数部分的整数存储页数，并根据所述整数部分计算所述电量数据的小数部分的小数存储页数；

将所述电量数据的整数部分存储至所述整数存储页数，小数部分存储至所述小数存储页数；

其中，所述电量数据的整数部分存储在flash中的N页，所述电量数据的小数部分存储在所述flash中的M页，M、N为大于1的整数，M为N的整数倍。

其中，将所述电量数据的整数部分存储至所述整数存储页数，小数部分存储至所述小数存储页数，包括：

S221：根据所述小数存储页数的首地址和偏移地址，得到所述电量数据的小数部分的存储地址，并将所述小数部分存储至所述存储地址中；

S222：判断所述整数部分是否发生变化；若是，则进入S223，若否，则进入S224；

S223：查询所述整数部分的整数存储页数，将所述整数部分存储至所述整数存储页数的偏移地址中；