[发明专利]触发电路及充电设备

说明书

本发明实施例提供一种触发电路及充电设备，触发电路设置在充电设备中，触发电路包括：MOS开关、第一电阻和第二电阻；其中所述MOS开关的漏极通过所述第二电阻与所述充电设备中的升压装置连接，所述MOS开关的栅极与所述第一电阻连接，所述第一电阻接地，所述MOS开关的栅极接入PE2.0控制信号，所述MOS开关的源极接地；所述MOS开关在所述PE2.0控制信号的控制下闭合，从而触发所述升压装置将电压升高到预设电压。本发明实施例能够用以实现PE2.0协议的充电器的升压功能。

技术领域

本发明实施例涉及充电技术领域，尤其涉及一种触发电路及充电设备。

背景技术

无线充电发射座在高压时效率比较高，比如9V的输入比5V输入高，目前主流无线充电发射方案的最大输入电流为2A，如果输入电压是5V，因为效率的问题那要在手机端支持2A的充电电流是无法实现的，目前整套方案的最大效率在70％不到。所以只有将输入电压抬高才可以满足手机端2A的充电电流。

现有技术一般是基于QC2.0协议的触发电路触发充电器中的升压装置，将充电器的输出电压提升到9V或者12V，但是对于只支持PE2.0协议的充电器来说则无法做到升压功能，所以需要设计相应触发电路使得支持PE2.0的充电器也能够实现升压功能。

发明内容

本发明实施例提供一种触发电路及充电设备，用以实现PE2.0协议的充电器的升压功能。

本发明实施例第一方面提供一种触发电路，该电路设置在充电设备中，包括：

MOS开关、第一电阻和第二电阻；

其中所述MOS开关的漏极通过所述第二电阻与所述充电设备中的升压装置连接，所述MOS开关的栅极与所述第一电阻连接，所述第一电阻接地，所述MOS开关的栅极接入PE2.0控制信号，所述MOS开关的源极接地；

所述MOS开关在所述PE2.0控制信号的控制下闭合，从而触发所述升压装置将电压升高到预设电压。

可选的，所述第二电阻为并联电阻。

可选的，所述并联电阻由4个电阻组成。

可选的，所述并联电阻由4个阻值相同的电阻组成。

可选的，所述触发电路还包括：电容；

所述电容的一端与所述第二电阻远离所述MOS开关的一端连接，所述电容的另一端接地。

可选的，所述电容为并联电容。

可选的，所述并联电容由2个电容组成。

可选的，所述并联电容由2个参数相同的电容组成。

可选的，所述MOS开关为P沟道MOS开关。

本实施例，通过将MOS开关的漏极与第二电阻连接，第二电阻与充电设备中的升压装置连接，将MOS开关的栅极与接地的第一电阻连接，将MOS开关的栅极接入PE2.0控制信号，将MOS开关的源极接地，使得MOS开关在PE2.0控制信号的控制下闭合，触发充电设备的升压装置将电压升高到预设电压。从而实现了PE2.0协议的充电器的升压功能，且本实施例提供的触发电路中需要的器件较少，器件价格低廉，能够有效节约触发电路的成本。

本发明实施例第二方面提供一种充电设备，包括：

控制装置，升压装置，以及上述第一方面所述的触发电路；

其中，所述控制装置与所述触发电路连接，所述触发电路与所述升压装置连接；

所述控制装置输出PE2.0控制信号，所述触发电路基于所述控制装置输出PE2.0控制信号，触发所述升压装置将电压升高到预设电压。