[发明专利]半片光伏组件热斑温度测试方法

权利要求书

1.一种半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、选片，确定半片光伏组件中的漏电最大电池片；

S2、选面积，对半片光伏组件中的电池串进行分组，按比例同时对各电池串组中漏电最大电池片进行遮盖，以此确定半片光伏组件的最坏遮盖面积；

S3、选热点，在所选取的每片漏电最大电池片上选出热点，用最坏遮盖面积遮盖非热点区域，并在每片所述漏电最大电池片的热点处及非热点区域粘贴热电偶；

S4、确定半片光伏组件的热斑温度；包括：

S41、将半片光伏组件的正负端子短路连接，并放进稳态模拟箱中，依次取各电池串组中的一组按最坏遮盖面积遮盖非热点区域，暴露热点位置及其它电池串组，使得所测热点温度最高；

S42、依次将每组电池串组辐照1小时以上，收集各时间段的温度数据，待温度稳定后统计最高温度值，即为半片光伏组件的热斑温度。

2.根据权利要求1所述的半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于：所述步骤S1具体为：

S11、依次遮盖半片光伏组件中的每一片电池片，并测试相应的I-V曲线；

S12、将位于同一电池串上的电池片对应的I-V曲线合并在一张图上，以每串电池串中漏电流最大的电池片作为漏电最大电池片。

3.根据权利要求1所述的半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于：所述步骤S2具体为：

S21、在标准测试环境下测定半片光伏组件的最大输出功率P_max及半片光伏组件的工作电流I_m；

S22、按照相邻且并联的原则，将半片光伏组件中的电池串分成电池串组；

S23、按照5％的面积遮盖步径，同时遮盖同一电池串组中的全部漏电最大电池片，并测试相应遮盖面积下电池串组的I-V曲线，以确定每组电池串组的拐点电流I_k；

S24、对比步骤S21的工作电流I_m及步骤S23中的拐点电流I_k，所述拐点电流I_k与所述工作电流I_m最接近时对应的遮盖面积即为最坏遮盖面积。

4.根据权利要求3所述的半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于：所述步骤S21中，所述标准测试环境的太阳能辐照强度为1000W/m²，电池片温度为25℃，大气质量为AM1.5；所述工作电流I_m为半片光伏组件最大输出功率P_max对应的工作电流。

5.根据权利要求3所述的半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于：所述步骤S23中，同一电池串组中漏电最大电池片依次按照5％、10％、15％、20％、25％、30％的面积进行遮盖。

6.根据权利要求1所述的半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于：所述步骤S3具体为：

S31、初选，将所选取的漏电最大电池片依次进行全遮，用红外热成像仪探测热点的大致位置，找出非热点区域；

S32、精选，用最坏遮盖面积遮盖非热点区域，用红外热成像仪探测热点的准确位置；

S33、捕捉热点，在所述每片漏电最大电池片的热点处各粘5个热电偶，非热点区域选定一个参考点各粘贴一个热电偶。

7.根据权利要求1所述的半片光伏组件热斑温度测试方法，其特征在于：所述步骤S41中所述稳态模拟箱的辐照强度为800～1000W/m²，温度为25±5℃。