[发明专利]一种启动控制方法、电子设备以及计算机可读存储介质

说明书

本发明公开了一种启动控制方法，包括：监控电子设备的启动操作；当监控到第一启动操作时，将处于工作状态的内存从所述电子设备的第一内存切换至所述电子设备的第二内存；其中，所述第一内存为当前处于工作状态的内存，所述第二内存为当前处于备用状态的内存；所述第一内存和第二内存为非易失性内存；根据所述第二内存中存储的指令，控制所述电子设备进行启动恢复。本发明还同时公开了一种电子设备以及计算机可读存储介质。

技术领域

本发明涉及计算机领域，尤其涉及一种启动控制方法、电子设备以及计算机可读存储介质。

背景技术

通常，电子计算机的存储设备由内存和外存两部分组成，传统种类的内存分为只读存储器(ROM，Read Only Memory)和随机存取存储器(RAM，Ramdom Access Memory)，外存包括但不限于机械磁盘、光盘和固态硬盘。

由于ROM仅支持出厂时一次写入，后续只能读不能写；因此，其应用范围十分狭窄，多用于基本输入输出系统(BIOS，Basic Input Output System)芯片中，自2000年之后已逐步淡出市场。

而RAM由于能够支持快速地随机读写，因此，现有的电子计算机的内存大多都是使用RAM。但是，RAM又存在易失性的缺点，导致电子计算机在关机、断电以及重启之后，内存中的数据将不复存在。因此，必须定期将内存中的脏数据回刷到外存，才能保证脏数据不会丢失；与此同时，操作系统必须长期存储在外存中，相应地，电子计算机在启动过程时，需将操作系统由外存加载到内存中，该过程通常需要40秒至1分钟的时间。如此，定期的回刷操作以及启动控制方式中启动时间过长的这些缺陷，又极大的限制了RAM的发展。

近年来，随着非易失性内存芯片(NVDIMM，Non-Volatile Dual Inline MemoryModules)、3D Xpoint、非易失性随机访问存储器(NVRAM，Non-Volatile Random AccessMemory)、相变内存(PCM，Phase-Change Memory)、以及阻变式存储器(RRAM，ResistiveRandom Access Memory)等新型材料介质的出现，极大地促进了新型种类的内存的出现和发展。该新型种类的内存为非易失性内存(NVM，Non-Volatile Memory)，因其兼具快速读写访问和持久性的优点，使操作系统可以常驻NVM，从而可以彻底改变过去的启动控制方式；在启动过程中，无需将操作系统从外存加载到NVM，启动时间显著缩短。与此同时，在关机、断电以及重启之后，NVM中数据仍然存在；因此无需回刷操作。

虽然，NVM同时带来了快速读写访问和持久性的好处。但是，简单地将RAM不加修改地替换为NVM，在一些场景下，启动控制方式可能会存在着严重缺陷；比如，在操作系统发生崩溃或卡顿的场景下，现有的启动控制方式将无法使操作系统重新恢复到正常运行状态，从而导致操作系统的稳定性较差。

发明内容

为解决现有技术存在的问题，本发明实施例期望提供一种启动控制方法、电子设备以及计算机可读存储介质，在操作系统发生崩溃或卡顿的场景下，能够将电子设备的操作系统重新恢复到正常运行状态，从而能够提高操作系统的稳定性。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种启动控制方法，所述方法包括：

监控电子设备的启动操作；

当监控到第一启动操作时，将处于工作状态的内存从所述电子设备的第一内存切换至所述电子设备的第二内存；其中，所述第一内存为当前处于工作状态的内存，所述第二内存为当前处于备用状态的内存；所述第一内存和第二内存为非易失性内存；

根据所述第二内存中存储的指令，控制所述电子设备进行启动恢复。

上述方案中，所述根据所述第二内存中存储的指令，控制所述电子设备进行启动恢复，包括：