[发明专利]在聚对苯二甲酸乙二酯基底上构筑稀土金属-卟啉的有机框架薄膜的制备方法在审
| 申请号: | 201711445774.5 | 申请日: | 2017-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN108276599A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
| 发明(设计)人: | 刘世起;颜范勇 | 申请(专利权)人: | 天津世起科技发展有限公司 |
| 主分类号: | C08J7/04 | 分类号: | C08J7/04 |
| 代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 董一宁 |
| 地址: | 300270 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚对苯二甲酸乙二酯 卟啉 薄膜 金属有机框架 稀土金属 基底 稀土金属掺杂 有机框架 制备 构筑 产业化生产 表面形成 单一晶型 发光薄膜 分子溶液 化学处理 有机溶剂 可控性 溶液滴 苯基 疏水 辛烷 溶解 | ||
一种在聚对苯二甲酸乙二酯基底上构筑稀土金属‑卟啉的有机框架薄膜的制备方法,包括如下步骤:①将稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架溶解在有机溶剂苯基辛烷中,形成浓度为1*10‑4M的分子溶液;②将溶液滴加至干净的聚对苯二甲酸乙二酯基底上,即得到构筑在聚对苯二甲酸乙二酯上的单一晶型结构为I的稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架薄膜。该方法将稀土金属‑卟啉金属有机框架负载在聚对苯二甲酸乙二酯表面形成缺陷少且稳定性好的薄膜,可以作为良好的疏水发光薄膜材料且本发明方法操作可控性好、工艺简单、成本低、无需复杂的化学处理和昂贵的设备、易于产业化生产。
技术领域:
本发明属于有机薄膜的制备领域,具体涉及一种在聚对苯二甲酸乙二酯基底构筑金属-卟啉的有机框架薄膜及其制备方法。
背景技术:
卟啉类金属有机框架聚合物(MOFs)由于很好的热稳定性和化学稳定性,在材料研究领域受到极大的关注,而且容易进行化学修饰,是一种良好的均相催化剂,广泛应用于各类反应中,尤其是氧化反应。卟啉MOFs聚合物在气体存储、分子吸附、传感器等多个领域得到了广泛应用。目前,卟啉类金属有机框架多晶膜的制备有电化学法、原位生长法、二次生长法等方法。这些制备方法一般需要特殊的仪器设备、操作复杂、能耗高、难以保证缺陷少且难制备单分子层的薄膜。聚对苯二甲酸乙二酯具有优良的热塑性和疏水性,已成为制备疏水性薄膜的研究的热点。
发明内容:
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供在聚对苯二甲酸乙二酯基底上构筑稀土金属-卟啉的有机框架薄膜的制备方法,该方法将稀土金属-卟啉金属有机框架负载在聚对苯二甲酸乙二酯表面形成缺陷少且稳定性好的薄膜,可以作为良好的疏水发光薄膜材料且本发明方法操作可控性好、工艺简单、成本低、无需复杂的化学处理和昂贵的设备、易于产业化生产。
如上构思,本发明的技术方案是:在聚对苯二甲酸乙二酯基底上构筑稀土金属-卟啉的有机框架薄膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
①将稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架溶解在有机溶剂苯基辛烷中,形成浓度为1*10-4M的分子溶液;
②将步骤①得到的溶液滴加至干净的聚对苯二甲酸乙二酯基底上,即得到构筑在聚对苯二甲酸乙二酯上的单一晶型结构为I的稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架薄膜。
上述单一晶型结构为I的稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架薄膜上原位滴加醋酸锌或醋酸铜乙醇溶液,得到单一晶型结构为II的锌-稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架薄膜或单一晶型结构为III的铜-稀土金属掺杂的卟啉金属有机框架薄膜。
上述醋酸锌或醋酸铜乙醇溶液的制备方法是:
①将醋酸锌或醋酸铜各取0.44mg分别溶解于有机溶剂乙醇中,超声震荡8分钟,配成浓度为1*10-4M的混合溶液;
②将步骤①中15mL的醋酸锌或醋酸铜乙醇溶液分别加入15mL的苯基辛烷中,配成浓度为5*10-5M醋酸锌或醋酸铜溶液。
本发明首先采用在聚对苯二甲酸乙二基底上由稀土金属-卟啉金属有机框卟啉通过分子自组装法得到自组装膜I,然后,分别采用醋酸锌和醋酸铜溶液,用原位滴加的方法得到晶型结构II和晶型结构III的金属有机框架薄膜。本发明所用的稀土金属-卟啉金属有机框架卟啉溶液的浓度低;所用的定向聚对苯二甲酸乙二酯具有高收缩率和强度、无毒无味、温度条件温和并且可多次利用的特点;所用的金属有机框架薄膜的晶型结构可按需求调节。通过本发明所述方法制备的聚对苯二甲酸乙二酯为基底的金属有机框架薄膜可用于良好的发光疏水薄膜材料。且本发明方法操作可控性好、工艺简单、成本低、无需复杂的化学处理和昂贵的设备、易于产业化生产。
具体实施方式:
一种在聚对苯二甲酸乙二酯基底上构筑稀土金属-卟啉的有机框架薄膜的制备方法,包括如下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津世起科技发展有限公司,未经天津世起科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711445774.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





