[发明专利]一种三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料及其制备方法

权利要求书

1.一种三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料，其特征在于：所述电磁波吸收材料是由碳与钴组成的多相片层纳米复合粉体；其中，碳构成了花状结构的三维骨架，纳米级碳包覆在纳米级钴颗粒的外面形成碳包覆钴颗粒，碳包覆的钴颗粒均匀分布在三维骨架上；所述碳为无定型碳；所述三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的尺寸为5～6μm，孔径为1～50nm，所述钴颗粒的尺寸为20～100nm；所述碳与钴的质量比为(1～60):(40～99)。

2.如权利要求1所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法；其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：

1)将二价无机钴盐作为合成氢氧化钴的前驱体，和表面活性剂按一定的质量比溶于溶剂中，在密闭条件下反应，反应完成后对产物进行洗涤、干燥，制得氢氧化钴；将制得的氢氧化钴进行煅烧处理，得到四氧化三钴粉体；

2)将步骤1)中的四氧化三钴粉体与碳源混合，然后在密闭条件下反应，即得三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料；

步骤1)中，所述二价无机钴盐为CoSO₄·6H₂O、CoCl₂·6H₂O、Co(CH₃COO)₂·4H₂O中的一种或两种；所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮，所述溶剂为甲醇，所述二价无机钴盐、表面活性剂的质量比为(1～10):(0.5～4)；

步骤1)中，所述反应的温度为100～400℃，反应的时间为2～30h；所述煅烧处理的条件为：温度300～500℃，时间1～5h；

步骤2)中，所述碳源为吡咯；所述碳源和四氧化三钴粉体的质量比为1:(2～4)；所述反应的温度为500～600℃，时间为2～30h。

3.如权利要求2所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法；其特征在于：所述二价无机钴盐、表面活性剂的质量比为1:2。

4.如权利要求2所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法；其特征在于：步骤1)中，所述反应温度为180～270℃，反应时间为1～10小时。

5.如权利要求2所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法；其特征在于：步骤1)中，所述煅烧处理的条件为：温度350℃，时间3h。

6.如权利要求2所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法；其特征在于：步骤2)中，所述碳源和四氧化三钴粉体的质量比为1:(2.5～3)。

7.如权利要求2所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法；其特征在于：步骤2)中，所述反应的温度为500～550℃，时间为5～10h。

8.如权利要求1所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料和/或如权利要求2-7任一项所述的三维多孔花状结构钴/碳纳米复合电磁波吸收材料的制备方法在无线电通讯系统、防高频、微波加热设备、构造微波暗室、隐身技术中的应用。