[发明专利]一种基于FP的磁场强度传感器及其性能测试方法在审

专利信息
申请号: 201711441364.3 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108051762A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 鹿利单;祝连庆;何巍;娄小平;董明利;孙广开;李红 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032;G01R35/00
代理公司: 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 代理人: 顾珊;庞立岩
地址: 100085 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 fp 磁场强度 传感器 及其 性能 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种基于FP的磁场强度传感器,其特征在于:包括FP本体(1)和锥形管(2);所述FP本体(1)通过螺旋弹簧(3)固定在锥形管(2)的内部,且FP本体(1)通过环氧树脂与螺旋弹簧(3)粘接;所述锥形管(2)的尾部贯穿有FP尾纤(4),且FP尾纤(4)与锥形管(2)的连接出设置有氧树脂塞(5);所述锥形管(2)的端部通过环氧树脂粘接有磁头(6),且磁头(6)与FP本体(1)远离FP尾纤(4)的一端连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于FP的磁场强度传感器,其特征在于:所述FP本体(1)的传感机理为:FP传感机理是基于波动光学中的多光束干涉。在光纤FP传感器中输出信号一般利用反射光强度IR表示:

式(1)中φ为任意两束光的相位差,R为两端面的反射率,且

其中,n为腔内介质的折射率,L为腔长,λ为入射光的波长,θ为反射光与反射平面法线的夹角。

当反射率R很小时,(1)式可简化为

式(1),式(2)和式(3)表明:当外界参量作用于微腔时,可以通过反射光强变化,对反射光干涉条纹波长的漂移进行分析,解调出相干光的相位移,推出外界参量变化,实现传感测量的目的。

3.一种基于FP的磁场强度传感器性能测试方法,其特征在于:具体包括如下步骤:

步骤1、选取需要测量的第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8);

步骤2、将步骤1中选取的第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8)通过固定座(9)与安装板(10)固定连接,第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8)中的锥形管(1)的尾部朝上,端部朝下;

步骤3、将第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8)的FP尾纤(5)分别接入到测试系统中,并记录所测试的中心波长,从而完成了对第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8)性能的检测。

4.根据权利要求书2所述的一种基于FP的磁场强度传感器性能测试方法,其特征在于,步骤3中所述的测试系统包括PC端(11)、ASE光源(12)、光纤环形器(13)、光谱分析仪(14)和连接器(15);所述ASE光源(12)的光源发射端口通过光纤与光纤环形器(13)的输入端连通,且光纤环形器(13)的输出端通过连接器(15)与第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8)连通;所述光纤环形器(13)的输出端通过导线与光谱分析仪(14)的输入端电性连接,且光谱分析仪(14)的输出端通过控制器(16)与PC端(11)电性连接;所述ASE光源(12)的控制端通过导线与PC端(11)电性连接;所述第一FP磁场传感器(7)和第二FP磁场传感器(8)的磁头6均位于环形磁圈内部。

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