[发明专利]一种船用变频器的三电平逆变功率模块在审

专利信息
申请号: 201711435254.6 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN107911034A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 刘成浩;刘璇;袁飞雄;冯君华;张波 申请(专利权)人: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H02M7/483;H02M7/5387;H02M1/12;H05K7/20
代理公司: 武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙)42221 代理人: 刘念涛,宋国荣
地址: 430064 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 变频器 电平 功率 模块
【说明书】:

技术领域

发明属于电力电子技术领域,具体涉及一种电力电子功率模块,适合于船用变频器或者其他场合的变频器。

背景技术

船用推进变频器是船舶综合电力推进系统的关键设备之一。

电力电子功率模块是船舶推进变频器的核心部件,可以通过其不同组合实现推进变频器的功率扩容。

目前700-1200VDC电压等级低压船用推进变频器一般采用两电平逆变器,输出电压谐波含量较大,开关频率较低,容易导致电机振动噪声指标超标,难以满足某些对振动噪声要求较高的使用场合。

因此采用三电平逆变模块成为一种选择,而传统三电平逆变器由于每个桥臂采用四个IGBT,受半导体器件限制,抑制了外层器件关断过电压,就容易导致内层器件过压,反之亦然,很难同时减小桥臂内、外层半导体器件关断期间换流过电压,使得器件的电压裕量较小,导致设备运行的安全性、可靠性降低。

发明内容

本发明针对现有技术的不足,提供一种船用变频器的三电平逆变功率模块,具备较高的推进安全性、可靠性和维修性,具备更低谐波含量,能满足更高开关频率的应用,适用于对振动噪声要求较高的场合。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种船用变频器的三电平逆变功率模块,包括模块框架以及固定在模块框架上的散热器、驱动电路板和一组采用串并联连接的电容阵,所述的散热器正面安装有IGBT组件,IGBT组件上连接有电源转接板和电流传感器,所述的电容阵和IGBT组件通过一块层叠母排连接在一起,所述的层叠母排上设置有绝缘柱,模块框架外通过绝缘子连接有输出铜排,所述的驱动电路板安装在IGBT组件上,驱动电路板上分别连接有光航插9和电航插10,驱动信号和故障信号通过一个光航插9与外部连接,模块内部电压电流等测量信号通过一个电航插10与外部连接;所述的IGBT组件由IGBT管T1~T12、二极管D1~D6和电容C1、电容C2组成;其中IGBT管T1~T4串联组成第一IGBT组,第一IGBT组上并联有由二极管D1和二极管D2串联而成的第一二极管组,第一二极管组一端连接在IGBT管T1和IGBT管T2之间,另一端连接在IGBT管T3和IGBT管T4之间;IGBT管T5~T8串联组成第二IGBT组,第二IGBT组上并联有由二极管D3和二极管D4串联而成的第二二极管组,第二二极管组一端连接在IGBT管T5和IGBT管T6之间,另一端连接在IGBT管T7和IGBT管T8之间;IGBT管T9~T12串联组成第三IGBT组,第三IGBT组上并联有由二极管D5和二极管D6串联而成的第三二极管组,第三二极管组一端连接在IGBT管T9和IGBT管T10之间,另一端连接在IGBT管T11和IGBT管T12之间;所述的三个IGBT组并联在直流母线上,所述二极管D1、D3、D5的正极连接,所述IGBT管T2和IGBT管T3之间引出作为A相交流输出,IGBT管T6和IGBT管T7之间引出作为B相交流输出,IGBT管T10和IGBT管T11之间引出作为C相交流输出,A、B、C三相交流输出端通过软连接连接至输出铜排;所述的电容C1与IGBT管T1、二极管D1的两端构成第一吸收回路,所述的电容C2与二极管D2、IGBT管T4的两端构成第二吸收回路。

所述的一种船用变频器的三电平逆变功率模块,其第一吸收回路和第二吸收回路设计可以采用纯电容吸收电路,也可以根据条件采用RC、RCD型等吸收电路。

所述的一种船用变频器的三电平逆变功率模块,其模块框架侧面的底部设置有滑轨,模块框架正面的底部安装有两个把手,模块框架左侧设置有吊耳。

所述的一种船用变频器的三电平逆变功率模块,其散热器采用长方形铜水冷板散热,其进水/出水接口采用DN16宝塔接头,一左一右对称布置。

进一步,所述水冷散热板的冷却水槽采用对称设计,以保证各桥臂IGBT底板温度一致性。

所述的一种船用变频器的三电平逆变功率模块,其模块框架右侧设置有电压传感器组件,模块框架底部设置有起绝缘隔离作用的绝缘板,减小对地漏电流,适用于模块间的串并联连接。

本发明的有益效果是:

1、通过优化直流母线电容阵、IGBT器件换流回路布置,采用四层三电平层叠母排,减小外层IGBT关断过电压;同时通过在内层器件换流路径上,增加吸收电路,减小内层IGBT关断过电压,从而增加了半导体器件运行的可靠性,提高设备运行的安全性和可靠性;

2,输出电压谐波含量低,且开关频率较高,负载电机上产生的高频噪声明显优于同电压等级两电平模块;

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