[发明专利]一种预防单晶掉落的装置有效
申请号: | 201711426647.0 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN109957833B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 王雅楠;刘卓;韩秋雨;姜舰;翟顺元;张金义 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青 |
地址: | 101300 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 预防 掉落 装置 | ||
本发明公开了一种预防单晶掉落的装置。该装置包括单晶炉拉伸筒、下法兰、金属弯头、连接杆及底托,下法兰安装在单晶炉拉伸筒的下端,下法兰上设有金属柱,金属弯头上设有供该金属柱穿过的孔,金属弯头的下端与连接杆一端相连,连接杆的另一端连接底托。在取单晶时,先将晶体上升到拉伸筒内,将金属弯头挂在拉伸筒下法兰的金属柱子上,用连接杆连接好金属弯头与底托,将晶体下降,使晶体的尾部(尖)下降到底托的孔中,再将拉伸筒旋出。旋转到位后,将金属弯头从金属柱上取下,再将晶体落下取单晶棒。采用本发明的装置能够在取出单晶过程中预防发生意外,安全、方便地进行取棒操作。
技术领域
本发明涉及一种预防单晶掉落的装置,属于半导体材料技术领域。
背景技术
直拉单晶制造法(Czochralski,CZ法)是从熔体中获得单晶的一种重要方法,随着硅单晶应用领域的扩展,目前绝大部分半导体和光伏硅单晶都用直拉CZ法生长。
随着热场尺寸的升级,投料量的不断增加,使单晶的重量不断增加,单晶拉制完成后取出单晶的手段也越来越趋向于通过拉伸筒(拉晶设备的主要组成部分)旋出后再降晶体的方式。虽然这种方式方便,但也伴随着一定风险,甚至是安全隐患。由于晶体直径的增加,晶体重量的增加,在拉伸筒旋出时,晶体不可避免的出现晃动、摆动,摆幅较大的甚至会与拉伸筒内侧接触、磕碰。而且这种摆动会瞬间增加籽晶的承受力,甚至使籽晶横向受力,在籽晶的细颈部分,直径大概在5mm左右,承受的力量是有限的,在横向受力时会出现断裂的情况。
如图2所示,现有的办法是在拉伸筒11的下沿制作一个旋转臂12,拉伸筒外旋时将旋转臂12旋转至拉伸筒11的正下方,防止晶体掉落。但该种办法只能起到预防的作用,减小意外发生的可能,但是一旦发生晶体掉落的情况,该方法对后续取棒、人员安全等保障毫无办法。
发明内容
本发明的目的是提供一种预防单晶掉落的装置,该装置通过减少单晶振动幅度的方式,预防意外的发生,安全、方便地进行取棒操作。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种预防单晶掉落的装置,包括单晶炉拉伸筒、下法兰、金属弯头、连接杆及底托,下法兰安装在单晶炉拉伸筒的下端,下法兰上设有金属柱,金属弯头上设有供该金属柱穿过的孔,金属弯头的下端与连接杆一端相连,连接杆的另一端连接底托。
所述连接杆为沿长度方向具有缝隙的长条形连接杆,连接杆的数量为三根。
所述底托的中心位置具有孔,并具有从该孔向外延伸的三根杆,该三根杆对称分布,在每根杆的端部均设有连接孔。
本发明的优点在于:
采用本发明的装置能够在取出单晶过程中预防发生意外,安全、方便地进行取棒操作。
附图说明
图1为本发明的装置的结构示意图。
图2为现有的设有旋转臂的拉伸筒的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明,但并不意味着对本发明保护范围的限制。
如图1所示,为本发明的装置的结构示意图。该装置包括单晶炉拉伸筒1、下法兰2、金属弯头3、连接杆4及底托5,下法兰2安装在单晶炉拉伸筒1的下端,下法兰2上设有金属柱6,金属弯头3上设有供该金属柱7穿过的孔,金属弯头3的下端与连接杆4一端相连,连接杆4的另一端连接底托5。连接杆4为沿长度方向具有缝隙6的长条形连接杆,连接杆4的数量为三根。
底托5的中心位置具有孔8,并具有从该孔8向外延伸的三根杆9,该三根杆对称分布,在每根杆的端部均设有用于连接天车的连接孔10。
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