[发明专利]一种门驱动电路、方法和装置

说明书

本发明提供了一种门驱动电路。其中，所述门驱动电路包括：非交叠信号发生器，高边电平转换电路，低边电平转换电路，高边地发生器，低边电源发生器，偏置电流发生器，BH缓冲器及BL缓冲器。非交叠信号发生器将输入的电平信号转变为一对非同时为高的电平信号，分别将一对非同时为高的电平信号经过高边电平转换电路和低边电平转换电路进行电平转换后，将电平转换后的信号输出给BH缓冲器和BL缓冲器，从而BH缓冲器和BL缓冲器可提供2～3V的电压信号给MP加长漏极高压晶体管和MN加长漏极高压晶体管，来控制晶体管的开通和关断。在本发明中，通过降低提供给晶体管的电压范围，使得门驱动电路的功耗降低，也减少了晶体管损坏可能性。

技术领域

本发明涉及电路技术领域，尤其涉及一种门驱动电路、方法和装置。

背景技术

在驱动大功率晶体管时使用门驱动电路，通过门驱动电路来控制门驱动电路外部的大功率晶体管的开启及截至。在传统的门驱动电路中，通常由高压电路和低压电路组成，高压电路使用多个普通MOS晶体管来集成，低压电路对高压电路提供数字信号，通过数字信号可实现对大功率晶体管的控制。在驱动大功率晶体管时，从低压电路输入数字信号，数字信号经过反相器单线输出给高压电路中的各个普通MOS晶体管，从而输出信号实现对驱动电路外部的大功率晶体管的控制。

而在传统门驱动电路中，为驱动电路提供的供电电压大致范围在2.5至6V，使得门驱动电路的功耗很大，同时对于普通MOS晶体管而言，超出了栅极氧化层所能承受的电压范围，也会增加普通MOS晶体管损坏的可能性。

发明内容

本发明提供一种门驱动电路、方法和装置，以解决供电电压的大范围造成的晶体管可能损坏以及门驱动电路功耗过大的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种门驱动电路，包括：非交叠信号发生器，高边电平转换电路，低边电平转换电路，高边地发生器，低边电源发生器，偏置电流发生器，BH缓冲器及BL缓冲器；

所述非交叠信号发生器输入端接收数字信号，所述非交叠信号发生器的第一输出端与所述高边电平转换电路的输入端连接，用于提供第一电平信号，所述非交叠信号发生器的第二输出端和所述低边电平转换电路的输入端连接，用于提供第二电平信号，所述第一电平信号和所述第二电平信号为一对非同时为高的电平信号；

所述高边电平转换电路的输出端与BH缓冲器的第一输入端连接，用于对所述第一电平信号进行电平转换；

所述低边电平转换电路的输出端与BL缓冲器的第一输入端连接，用于对所述第二电平信号进行电平转换；

所述高边地发生器的输入端与供电电源连接，所述高边地发生器的输出端与所述BH缓冲器的第二输入端连接，用于向所述BH缓冲器提供低边电位电压；

所述低边电源发生器与所述BL缓冲器的第二输入端连接，用于向所述BL缓冲器提供高边电位电压；

所述BH缓冲器的第三输入端与供电电源连接，所述BH缓冲器的输出端与MP晶体管的栅极连接，用于向所述MP晶体管提供驱动功率，所述BL缓冲器的第三输入端与门驱动电路外部的大功率晶体管源极连接，为公共接地端电压，输出端与MN晶体管的栅极连接，用于向所述MN晶体管提供驱动功率；

偏置电流发生器分别与非交叠信号发生器、高边电平转换电路，低边电平转换电路，高边地发生器，低边电源发生器连接，用于提供偏置电流。

优选地，所述非交叠信号发生器包括：

所述非交叠信号发生器由反相器，第一或非门，第一缓冲器，第二或非门，第二缓冲器组成；

所述反相器的输入端接收数字信号，输出端与所述第一或非门的第一输入端连接；所述第一或非门的第二输入端接收反馈信号，输出端与所述第一缓冲器的输入端连接；所述第一缓冲器的输出端输出第一电平信号；