[发明专利]用于电涡流微压传感器的薄膜片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于电涡流微压传感器的薄膜片，其特征在于，包括硅衬底（13）和非导电膜片（12），所述非导电膜片（12）静电键合在所述硅衬底（13）上，所述硅衬底（13）上设有窗口，所述非导电膜片（12）的外侧且正对窗口的位置处溅射有导电薄膜（14）；

所述非导电膜片（12）的周侧溅射有导电接触环（11）；导电薄膜（14）和导电接触环（11）之间存在一定的距离；

所述导电接触环（11）上设置有焊盘（15），所述焊盘（15）上设置有引线（9）；

所述引线（9）用于测量导电接触环（11）与其它部件之间的接触电阻，通过接触电阻的测量以实现对紧固力大小的掌控。

2.根据权利要求1所述的用于电涡流微压传感器的薄膜片，其特征在于，所述非导电膜片（12）为SiO₂片。

3.根据权利要求1所述的用于电涡流微压传感器的薄膜片，其特征在于，所述导电薄膜（14）为Au层。

4.一种如权利要求1至3中任意一项所述的用于电涡流微压传感器的薄膜片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01、准备单晶硅片和非导电膜片（12），并分别进行双面抛光；

S02、将双面抛光的单晶硅片和非导电膜片（12）进行静电键合，形成键合片；

S03、在单晶硅片上腐蚀出窗口，并停止于非导电膜片（12），其中单晶硅片形成硅衬底（13）；

S04、在非导电膜片（12）外侧于窗口的位置处溅射一层导电的薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在步骤S04后，对薄膜进行刻蚀，形成环岛，其中中间的圆形部分为导电薄膜（14），外环部分则为导电接触环（11）。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括在导电接触环（11）上制备焊盘及引线，具体过程为：

S05、在导电接触环（11）上掩膜、光刻出接触孔；

S06、在接触孔上溅射Ni层；

S07、在Ni层上通过掩膜、光刻键合Au层，形成焊盘（15）；

S08、在焊盘（15）上焊接带绝缘层的引线（9）。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤S02中，对键合片上非导电膜片（12）进行减薄，减薄到量程厚度再进行抛光。

8.根据权利要求4至6中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜为Au层。