[发明专利]非接触式自动引弧系统及引弧方法有效
申请号: | 201711392074.4 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108165935B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 叶伟;常红梅 | 申请(专利权)人: | 陕西理工大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 谈耀文 |
地址: | 723001 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽板 靶材 自动引弧系统 电极控制 非接触式 辅助电源 一端连接 接触器 电源 电磁线圈 引弧电极 常开端 输出端 真空室 社会经济效益 负极 工作效率 交流电源 均匀设置 内部中空 引弧电压 引弧装置 中心安装 弧电源 外圆周 圆环形 并联 靶座 引弧 穿过 维护 | ||
本发明公开的非接触式自动引弧系统,包括圆环形且内部中空的屏蔽板、靶材、接触器、弧电源、真空室、电极控制电源和辅助电源,靶材穿过屏蔽板中心安装在靶座上,屏蔽板外圆周方向上均匀设置有三个引弧电极,接触器包括常开端和电磁线圈,常开端的一端连接交流电源,另一端并联辅助电源和电极控制电源,辅助电源的输出端分别连接到靶材和屏蔽板,电极控制电源的输出端分别连接到引弧电极和屏蔽板,接触器的电磁线圈一端连接靶材,另一端连接真空室,负极与靶材相连。本发明的非接触式自动引弧系统具有结构简单,解决了传统引弧装置中需较高的引弧电压和结构复杂的问题,成本低廉,安装和维护容易,提高了工作效率,有一定的社会经济效益。
技术领域
本发明属于电弧离子镀技术领域,涉及一种非接触式自动引弧系统,还涉及一种用于非接触式自动引弧系统的引弧方法。
背景技术
电弧离子镀技术是将电弧技术应用于真空镀膜中,在真空环境下利用电弧蒸发靶材,实现镀膜的过程,具有沉积能量大、沉积速率快与制备膜层致密度高的特点,该技术是以被镀材料为阴极,在真空中产生弧光放电,利用等离子体运行沉积镀膜的一种技术,该技术已经被广泛应用于工业生产中。电弧引弧装置主要分为接触式引弧和非接触式引弧两种:1)接触式引弧装置,到目前为止,在工业生产中大多都采用机械式接触引弧,该引弧装置具有起弧成功率高,结构简单和对引弧电源要求低等优点。但是,也具有许多弊端,如在引弧过程中,引弧电极和阴极靶容易发生粘连,产生粘弧现象,导致引弧工作无法完成;并且容易造成薄膜层材料不纯,这些缺点限制了该技术在工业生产和高质量薄膜中的广泛应用;2)非接触式引弧方式,是将引弧电极与阴极靶材分离,通过给引弧电极施加高压脉冲,使引弧电极和阴极靶材之间产生放电,从而激发出靶源离子,离子在磁场作用下沉积在基片上实现镀膜。李刘合等研究人员设计了一种非接触式的引弧器,能够实现靶材的自动引弧,但是其引弧方式为间断式引弧,一次引弧失败后会自动关闭高压脉冲,需要重新开启脉冲信号,这样大大降低了起弧效率,而且多次引弧可能会将引弧材料的离子带入真空室污染膜层。
接触式缺陷:在引弧极与阴极靶的接触点处,靶材上会形成熔融坑,影响薄膜的制备;靶材材料容易聚集在引弧电极上,使得引弧极的端部变大,在引弧时,容易导致粘弧或者烧坏引弧装置及引弧电源;引弧电极材料可能会随着靶材离子的电离沉积到样品表面,影响薄膜层材料的纯度;随着靶材的消耗,需要经常拆下引弧装置进行引弧电极的清理,并重新调整引弧电极与阴极靶之间的距离,距离不合适将导致不起弧或者粘弧,影响薄膜的制备。
非接触式缺陷:该引弧装置是利用引弧针的尖端放电引燃阴极靶,但是引弧针的尖端断面截面积太小,导致放电功率较小,并且需要很高的脉冲高压,该装置是通过引弧针释放高压击穿真空中的溅射气体引燃阴极靶,在高真空条件下,气体稀薄,引燃阴极靶的成功率较低。引弧装置结构复杂,需要经常维护引弧针和调整引弧针与阴极靶之间的距离。
发明内容
本发明的目的是提供非接触式自动引弧系统,解决了现有技术中存在的需要较高的引弧电压和结构复杂的问题。
本发明的目的还在于提供非接触式自动引弧系统的引弧方法。
本发明采用的第一种技术方案是,非接触式自动引弧系统,包括圆环形且内部中空的屏蔽板、靶材、接触器、弧电源、真空室、电极控制电源和辅助电源,靶材穿过屏蔽板中心安装在靶座上,屏蔽板外圆周方向上均匀设置有三个引弧电极,
接触器包括常开端和电磁线圈,常开端的一端连接交流电源,另一端并联辅助电源和电极控制电源的输入端,
辅助电源的输出端分别连接到靶材和屏蔽板,
电极控制电源的输出端分别连接到引弧电极和屏蔽板,
接触器的电磁线圈一端连接靶材,另一端连接真空室,
弧电源的正极连接到真空室,负极与靶材相连,
引弧电极外壁上安装有绝缘套。
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