[发明专利]一种直流电源保护电路及电子设备在审
| 申请号： | 201711387651.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950888A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡锦波;陈国烨;周垠群 | 申请（专利权）人： | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H7/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直流线路 直流电源 瞬态抑制二极管 半导体放电管 电路 预设电压 电子设备 导通 减小 串联 正向二极管 多重防护 反向电压 负极电压 钳位电压 芯片功耗 正极电压 正向电压 转折电压 支路 防反接 面积和 残压 叠加 | ||
1.一种直流电源保护电路，其特征在于，包括：
第一保护支路，包括串联的半导体放电管和瞬态抑制二极管，所述第一保护支路的第一端与第一直流线路电连接，所述第一保护支路的第二端与第二直流线路电连接；所述第一直流线路接入正极电压，所述第二直流线路接入负极电压；
所述第一直流线路和所述第二直流线路之间的正向电压大于第一预设电压时，所述瞬态抑制二极管和所述半导体放电管导通，所述第一预设电压为所述瞬态抑制二极管的钳位电压和所述半导体放电管的转折电压的叠加；所述第一直流线路和所述第二直流线路之间的反向电压大于第二预设电压时，所述瞬态抑制二极管和所述半导体放电管呈两个串联的正向二极管导通。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管为单向瞬态抑制二极管；所述半导体放电管为单向半导体放电管；
其中，所述单向瞬态抑制二极管沿所述第一保护支路的第一端到所述第一保护支路的第二端的方向为钳位方向；所述单向半导体放电管沿所述第一保护支路的第一端到所述第一保护支路的第二端的方向为特性方向。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：
第二保护支路，所述第二保护支路串接有至少一个二极管；所述第二保护支路的第一端与所述第一直流线路电连接，所述第二保护支路的第二端与所述第二直流线路电连接；
所述第二保护支路用于在所述第一直流线路和所述第二直流线路之间的反向电压大于第三预设电压时，所述第二保护支路导通。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管为双向瞬态抑制二极管；所述半导体放电管为双向半导体放电管。
5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管为双向瞬态抑制二极管；所述半导体放电管为反向截止半导体放电管；
其中，所述反向截止半导体放电管沿所述第一保护支路的第一端到所述第一保护支路的第二端的方向为特性方向。
6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管为单向瞬态抑制二极管；所述半导体放电管为反向截止半导体放电管；
其中，所述单向瞬态抑制二极管沿所述第一保护支路的第一端到所述第一保护支路的第二端的方向为钳位方向；所述反向截止半导体放电管沿所述第一保护支路的第一端到所述第一保护支路的第二端的方向为特性方向。
7.根据权利要求3-6任一所述的电路，其特征在于，所述二极管的类型包括：肖特基二极管和快速恢复二极管。
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一直流线路和所述第二直流线路分别与受电设备的两个电源端口电连接。
9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括熔断器，所述熔断器串联于所述第一直流线路或者所述第二直流线路。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备上使用权利要求1-9任一所述的直流电源保护电路。
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