[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺有效

专利信息
申请号: 201711387050.X 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108212229B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 邓宇;张会寅;郭钟宁;洪文生;麦文豪;王文兵;朱紫红 申请(专利权)人: 广东工业大学;佛山市铬维科技有限公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 44416 广州科沃园专利代理有限公司 代理人: 孙文卉
地址: 510006 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 微流道 聚二甲基硅氧烷 微流控芯片 表面疏水 成型工艺 流道 三维 聚二甲基硅氧烷材料 聚二甲基硅氧烷芯片 弹性变形状态 方向施加拉力 金属丝表面 纳秒激光器 激光光束 疏水结构 疏水位置 皱纹结构 激光器 金属丝 纳米级 内壁面 微管道 微液滴 发型 流体 波状 操控 可控 两相 疏水 制备 嵌入 芯片 融合 调控 制作 应用
【权利要求书】:

1.一种聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,用UV-LIGA技术制作带有微流道的聚二甲基硅氧烷微流控芯片,其特征在于,包括如下的步骤:

步骤一:沿流道方向施加拉力于芯片两侧,使芯片发生弹性变形;

步骤二:在发生弹性变形状态的聚二甲基硅氧烷微流控芯片流道中嵌入略小于微流道宽度的金属丝,使金属丝紧贴流道内壁表面;

步骤三:使用激光器发生激光光束透过聚二甲基硅氧烷材料作用在金属丝表面上;

步骤四:关闭激光器,以一定规律撤去拉力,使聚二甲基硅氧烷微流控芯片恢复自然状态。

2.如权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷微流控芯片微流道的宽度为50-500μm。

3.如权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,其特征在于:所述拉力大小为0.5-10N。

4.如权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,其特征在于:所述激光器为1064nm波长的纳秒光纤激光器。

5.如权利要求4所述的聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,其特征在于:所述纳秒光纤激光器功率可调范围为0-20W,脉冲频率设置为30kHz。

6.如权利要求5所述的聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,其特征在于:所述纳秒光纤激光器所发射的激光光斑沿着微流道以200-800mm/s的速度移动。

7.如权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷三维微流道表面疏水结构成型工艺,其特征在于:所述的一定规律可为均匀速度、均匀变速或者随机变速中的一种。

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