[发明专利]LED瑜伽垫在审

专利信息
申请号: 201711382903.0 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN107982848A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 尹晓雪 申请(专利权)人: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
主分类号: A63B6/00 分类号: A63B6/00;A63B21/00;A63B71/06
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 代理人: 黄晶晶
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: led 瑜伽
【说明书】:

技术领域

发明属于健身器材领域,具体涉及一种LED瑜伽垫。

背景技术

现代人生活节奏越来越快,快节奏带来的就是运动量的减少。室内健身也越来越成为现代人的选择,瑜伽是目前较为流行的室内健身运动之一。瑜伽垫就是练瑜伽时铺在下面的垫子,但是一般人练习瑜伽需要有专业的教练进行指导才能做出正确的姿势,通过视频学习一般动作和力度都达不到要求,不够标准。因此,如何让人们在家中就可以正确学习瑜伽的姿势,或者在教学中如何快速且标准做出规定的动作已经成为瑜伽爱好者的难题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种LED瑜伽垫。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

本发明实施例提供了一种LED瑜伽垫,包括:硅胶垫体1、多个压力发光单元2、供电装置3,多个压力发光单元2嵌于所述硅胶垫体1内。

在本发明的一个实施例中,还包括内嵌于所述硅胶垫体1内的扬声器4,所述扬声器4与所述供电装置3连接。

在本发明的一个实施例中,所述压力发光单元(2)包括:位于所述保护壳9内的LED光源5、压力传感器6、透光罩7、PCB板8、驱动装置10,所述LED光源5焊接于所述PCB板8之上,所述压力传感器6设置于所述透光罩7和所述PCB板8之间,所述驱动装置10设置于所述PCB板8与所述外壳组成的空间内,其中,所述压力传感器2、所述驱动装置3、所述LED光源1依次电连接。

在本发明的一个实施例中,所述透光罩7为环状,所述透光罩7表面设置柔性透光硅胶。

在本发明的一个实施例中,所述LED光源1包括多个LED灯珠500。

在本发明的一个实施例中,所述LED灯珠500呈环状排列于所述压力传感器6外侧。

在本发明的一个实施例中,所述LED灯珠500的发光芯片为RGBY四色单芯片。

在本发明的一个实施例中,所述RGBY四色单芯片为基于GaN材料的RGBY四色LED。

在本发明的一个实施例中,所述基于GaN材料的RGBY四色LED包括:蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极;其中,

所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料均包括GaN材料且通过所述隔离层彼此绝缘;

所述键合层设置于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料下方,且所述下电极设置于所述键合层下方,所述上电极分别位于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料上方。

在本发明的一个实施例中,所述驱动装置10分别与所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料上的上电极连接。

与现有技术相比,本发明的有益效果:

该LED瑜伽垫通过设置压力发光单元,可以通过压力大小监控瑜伽练习者的动作力度,判断是否达到动作标准,安全可靠,寓教于乐。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种LED瑜伽垫的结构示意图;

图2为本发明实施例提供的一种LED瑜伽垫的压力发光单元的结构示意图;

图3为本发明实施例提供的一种LED瑜伽垫的压力发光单元的俯视结构示意图;

图4为本发明实施例提供的一种LED瑜伽垫的工作原理示意图;

图5为本发明实施例提供的一种LED瑜伽垫的的压力发光单元的驱动原理示意图;

图6为本发明实施例提供的基于GaN材料的RGBY四色LED的结构示意图;

图7为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的蓝色发光材料的结构示意图;

图8为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的第一InGaN/GaN多量子阱结构示意图;

图9为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的红光凹槽的结构示意图;

图10为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的红色发光材料的结构示意图;

图11为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的GalnP/A1GaInP多量子阱结构示意图;

图12为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的绿光凹槽的结构示意图;

图13为本发明实施例提供的一种基于GaN材料的RGBY四色LED的绿色发光材料的结构示意图;

图14为本发明实施例提供的一种第二InGaN/GaN多量子阱的结构示意图;

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