[发明专利]一种升降压电压转换电路有效

专利信息
申请号: 201711382783.4 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108233701B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 冯国友;曹余新;葛艳磊 申请(专利权)人: 普冉半导体(上海)有限公司
主分类号: H02M3/04 分类号: H02M3/04
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 张妍;包姝晴
地址: 201210 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 升降 压电 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种升降压电压转换电路,其特征在于,包含:

带电源检测的源跟随电路,用于根据输入不同的电源电压值,输出对应的高/低电平;

带输出电压检测电荷泵电路,其包含一电荷泵,当输出电压高于或低于目标电压时,电荷泵相应地关闭或打开;

连接于带电源检测的源跟随电路的开关电路,所述的开关电路根据带电源检测的源跟随电路输出的高/低电平,选择带电源检测的源跟随电路或带输出电压检测电荷泵电路给输出充电,使得输出电压Vout稳定在目标电压的范围内。

2.如权利要求1所述的升降压电压转换电路,其特征在于,所述的带电源检测的源跟随电路包含:

第一偏置电流源、第二偏置电流源、第三偏置电流源、第四偏置电流源、第一NMOS管、第一PMOS镜像管、第二PMOS镜像管、第一本征管和第二本征管;

所述第二偏置电流源一端连接于第三偏置电流源一端,且与电源端相连;

所述第一本征管的门极与漏极短接后连接于第二偏置电流源另一端;

所述第二本征管的漏极连接于电源端,其源极连接于第四偏置电流源一端,门极连接于第一本征管漏极;

所述第一PMOS镜像管和第二PMOS镜像管门极连接一参考电压Vref,其源极连接于第一本征管的源极,所述第一PMOS镜像管漏极与第一偏置电流源一端相连;

所述的第一NMOS管漏极连接于第三偏置电流源另一端,其门极连接于第一PMOS镜像管漏极;

所述的第一NMOS管源极、第一偏置电流源另一端、第二PMOS镜像管漏极和第四偏置电流源另一端分别接地。

3.如权利要求2所述的升降压电压转换电路,其特征在于,所述的开关电路包含:开关管和第一缓冲器;

所述的第一缓冲器一端连接于第一NMOS管漏极,另外两端分别连接开关管的门极和源极;

所述的开关管漏极连接于第二本征管源极;

所述开关管源极连接输出电压Vout。

4.如权利要求3所述的升降压电压转换电路,其特征在于,所述的带输出电压检测电荷泵电路包含:

第五偏置电流源、第六偏置电流源、第二NMOS管、PMOS管和第二缓冲器;

所述的第六偏置电流源一端连接电源端,另一端连接于第二NMOS管漏极;

所述PMOS管源极连接于开关管源极,漏极连接于第二NMOS管门极和第五偏置电流源一端;

所述的第二NMOS管源极连接于第五偏置电流源另一端并接地;

所述的缓冲器一端连接于第二NMOS漏极,另一端通过电荷泵连接于PMOS管源极。

5.如权利要求4所述的升降压电压转换电路,其特征在于,所述的开关电路由第一NMOS管漏极电压Vddldet控制:

当电源电压>Vref+VthP0+VthN1时,Vddldet置低,开关电路开启,Vout由所述带电源检测的源跟随电路产生;

当电源电压>Vref+VthP0+VthN1时,Vddldet置高,开关电路关闭,Vout由电荷泵产生;

VthP0为第一PMOS镜像管的阈值电压,VthN1为第一本征管的阈值电压。

6.如权利要求4所述的升降压电压转换电路,其特征在于,所述的PMOS管阈值电压小于第一PMOS镜像管、第二PMOS镜像管的阈值电压;

当检测到Vout>Vref+VthP2时电荷泵关闭,反之电荷泵开启;

VthP2为PMOS管的阈值电压。

7.如权利要求2所述的升降压电压转换电路,其特征在于,所述的第一PMOS镜像管、第二PMOS镜像管为两电流镜像管。

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