[发明专利]基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器

权利要求书

1.基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于包括两个RQMSIW谐振腔，输入输出馈线，嵌入的开路带状线以及两条四分之一波长短截线；具体从上至下依次包括上介质板、粘接层、下介质板；

所述的上介质板包括上介质板本体和第一层金属面，上介质板本体的边长大于第一层金属面的边长；在上介质板本体上表面的中央部分面积铺设第一层金属面，未铺设第一层金属面的面积部分用来加载输入输出馈线；

所述的上介质板开有中心对称的第一金属通孔组，该中心为整个滤波器电场最强点；其中第一金属通孔组包括两组互相垂直且相同个数的金属通孔阵列；

所述的上介质板设有两组中心对称的第二金属通孔组，该中心为整个滤波器电场最强点；其中第二金属通孔组包括若干周期性分布的第二金属通孔，两组第二金属通孔组的中心所在的直线位于整个器件电场最强处；

上介质板本体的下表面仅在两组第二金属通孔组所对应的位置敷设第二层金属层；

所述的下介质板包括下介质板本体和第三层金属层；下介质板本体上表面部分铺设第三层金属层，第三层金属层包括一条开路带状线A和加载在两边的四分之一波长短截线B1、B2；其中开路带状线A的两端分别位于两个脊波导的正下方；所述的四分之一波长短截线B1、B2设置在滤波器磁场最强点，以增加第二频段中的感应耦合，从而提高第二频段的性能;

所述的下介质板本体下表面全部铺设第四层金属面；

第一金属通孔贯穿上介质板本体、粘接层、下介质板本体；第二金属通孔贯穿上介质板本体；

一组轴对称的金属通孔阵列、第一层金属面、第四层金属面构成一个QMSIW谐振腔，故整个滤波器设有两个QMSIW谐振腔，上述对称轴位于整个滤波器电场最强处；两组第二金属通孔组、第二层金属层构成两个脊波导结构；由上述两个脊波导分别加载在各自的QMSIW谐振腔上，从而形成两个RQMSIW谐振腔；

输入输出馈线分别加载在两个QMSIW谐振腔，且输入输出馈线呈中心对称。

2.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于所述的上下介质板本体和粘接层的介电常数差值不超过±0.1。

3.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于开路带状线A在第一频段引入传输零点，通过调节带状线A的长度或者宽度用以控制传输零点的位置，从而调节第一频段的带宽。

4.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于第一层金属面只在QMSIW结构处敷铜，故第一层金属面边沿与上介质板本体边沿间的面积构成磁壁。

5.如权利要求4所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于角耦合方式具体采用磁耦合，通过调整金属通孔阵列中相邻两第一金属通孔的间距进而调节磁耦合强度。

6.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于脊波导的位置与双频段的中心频率比值有关。

7.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于调节脊波导的尺寸用以微调第二频段的中心频率。

8.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于上介质板本体与下介质板本体的厚度比值决定滤波器的通带外抑制。

9.如权利要求1所述的基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器，其特征在于通过调节开路带状线A和加载在两边的四分之一波长短截线B1、B2的长度，用以调节滤波器的第一通带和第二通带的带宽。