[发明专利]反蛋白石结构防伪转印膜

说明书

本发明涉及一种功能性反蛋白石结构防伪转印膜，属于反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体在防伪领域的具体应用。本发明的防伪转印膜，包括组装基底、转印层，其特征在于，还包括硫化银纳米团簇光子晶体层；其中，所述光子晶体层位于所述组装基底与转印层之间，所述光子晶体层与转印层的相同位置上带有相同的立体外观防伪图案。本发明结合了硫化银量子点和光子晶体的性质，制备了具有防伪性能的反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体转印膜。由硫化银纳米团簇组装成的光子晶体相较于硫化银量子点具有更加优良的性能：荧光性能得到增强，且激发峰蓝移至700nm。受紫光辐照后，呈现出带有光泽感的红色。

技术领域

本发明涉及一种功能性反蛋白石结构防伪转印膜，属于反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体在防伪领域的具体应用。

背景技术

光子晶体是指介电常数(折射率)不同的材料在空间周期性排列构成的。光子晶体最本质的特征是光子禁带和光子局域。光子禁带可以控制光在其中的传播，而且缺陷态的引入可以影响光子禁带的性质，是光电集成、光子集成、光通信的一种关键性基础材料。

近年来，随着人们对半导体材料微观尺寸和表面修饰的调控，制备出的硫化银量子点，在近红外区存在较高的荧光强度。硫化银量子点具有以下共同的优良性质：硫化银量子点制备方法简单，原料易得，从而使生产成本大大降低；其具有良好的生物相容性和低毒性，结合其良好的发光性质可以应用在生物细胞成像；总体来说，硫化银量子点在能源相关器件、环境相关应用、生物相关领域以及复合材料相关领域。

将硫化银量子点和光子晶体结合，使硫化银量子点转变成周期性结构的固态，更有利于后处理。不同的周期性结构具有不同的光子带隙。硫化银量子点作为一种光电材料，具有光子带隙后就具有了调控光的性质。将硫化银量子点和光子晶体结合制备出不同带隙的硫化银量子点光子晶体，不仅很好的继承了硫化银量子点原有的优良性质，同时通过光子晶体带隙的调控，使硫化银量子点光子晶体表现出相较于硫化银量子点更加优良的性质，如荧光性能的增强，增强光电化学过程中的电子转移效率等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反蛋白石结构防伪转印膜。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种反蛋白石结构防伪转印膜，包括组装基底、硫化银纳米团簇光子晶体层、转印层；其中，光子晶体层位于组装基底与转印层之间，光子晶体层与转印层上压印有相同的立体外观的防伪图案。

进一步地，本发明的硫化银纳米团簇光子晶体层为密堆积结构，密堆积结构使本发明的光学功能材料发出荧光，并具有光泽。

进一步地，硫化银纳米团簇的粒径为180-300nm，使得光子晶体层带有波长为400-900nm的近红外、可见光和紫光的光泽。

进一步地，组装基底为聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚己内酯薄膜。组装基底选用耐强碱、抗氧化、化学稳定性较好的聚合物薄膜，以避免在后续制备反蛋白石结构硫化银纳米团簇光子晶体层的步骤中被模板去除剂腐蚀。

进一步地，转印层由UV树脂前驱物制成。

进一步地，本发明提供的转印膜还包括介于组装基底与光子晶体层之间的离型层。离型层用以调整组装基底的界面性能。当光子晶体乳液在离型层表面或组装基底表面形成光子晶体层后，可在光子晶体层表面具有黏性，并以紫外线交联方式形成有外观立体图案面。同时，通过具黏性的离型层，使得光子晶体层与承印材料之间具有良好的密着性，且固化后的外观立体图案面具有良好的耐磨性、抗刮性，进而得到本发明的转印膜。

进一步地，离型层的表面张力系数介于28-58dyn/cm，厚度介于2-20μm。使得离型层与光子晶体层之间的结合力大于离型层与组装基底之间的结合力，以便在后续的转印过程中移去组装基底。