[发明专利]高速信号传输组件及具有其的光模块在审
申请号: | 201711376044.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN109932788A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 汤小虎;庄睿;汤卓恒 | 申请(专利权)人: | 苏州旭创科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高速信号线 高速信号传输组件 过渡层 光学组件 光模块 硅基板 高速光电器件 电性连接 辐射区域 高速信号 硅基封装 相对两侧 高带宽 基板 地层 申请 带宽 参考 制造 | ||
1.一种高速信号传输组件,其特征在于,包括光学组件、硅基板、位于所述硅基板相对两侧的高速信号线及参考地层,以及至少一过渡层,所述高速信号线与所述光学组件相电性连接,所述过渡层位于所述高速信号线的高速信号辐射区域内。
2.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层位于所述高速信号线的下方。
3.根据权利要求2所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述硅基板具有第一介电常数及第一介电损耗,所述过渡层具有第二介电常数及第二介电损耗,所述第二介电常数小于所述第一介电常数和/或所述第二介电损耗小于所述第一介电损耗。
4.根据权利要求3所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层位于所述硅基板及所述高速信号线之间,和/或所述过渡层位于所述硅基板及所述参考地层之间,和/或所述过渡层夹设于所述硅基板中。
5.根据权利要求4所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层的边缘与所述硅基板的边缘齐平。
6.根据权利要求4所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层的表面积小于所述硅基板的表面积。
7.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层为二氧化硅层。
8.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述高速信号传输组件还包括位于所述高速信号线两侧的屏蔽层。
9.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层通过涂覆、外延、电镀或压合方式形成。
10.一种光模块,其特征在于包括如权利要求1-9中任意一项所述的高速信号传输组件。
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