[发明专利]用于正电子发射成像设备的检测器及正电子发射成像设备有效
申请号: | 201711361844.9 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108132483B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 张熙;谢思维;杨静梧;赵指向;黄秋;彭旗宇 | 申请(专利权)人: | 中派科技(深圳)有限责任公司;广东影诺数字医学科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/29 | 分类号: | G01T1/29;G01T1/164 |
代理公司: | 北京睿邦知识产权代理事务所(普通合伙) 11481 | 代理人: | 徐丁峰;付伟佳 |
地址: | 518063 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 正电子 发射 成像 设备 检测器 | ||
1.一种用于正电子发射成像设备的检测器,其特征在于,包括:
闪烁晶体阵列,其具有光读出面,所述闪烁晶体阵列包括第一晶体模块和第二晶体模块,所述第一晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第一排列方向排列而成,所述第二晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第二排列方向排列而成,所述第一排列方向对应立体空间上的x向,所述第二排列方向对应立体空间上的y向,所述第一晶体模块紧邻所述第二晶体模块设置,且所述第一晶体模块与所述第二晶体模块呈上下正交布置,所述光读出面对应第一晶体模块的上表面或/和第二晶体模块的下表面;以及
光电传感器阵列,其耦合至所述闪烁晶体阵列的所述光读出面。
2.如权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述闪烁晶体阵列的未与所述光电传感器阵列耦合的面上贴设有光反射层。
3.如权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述第一晶体模块的两相邻片状晶体之间设置有透光结构;所述第二晶体模块的两相邻片状晶体之间设置有透光结构。
4.如权利要求3所述的检测器,其特征在于,所述透光结构包括设置在两相邻片状晶体之间的反光层。
5.如权利要求4所述的检测器,其特征在于,所述透光结构还包括开设在所述反光层上的透光窗口。
6.如权利要求5所述的检测器,其特征在于,每一所述反光层上的所述透光窗口为一个,设置在所述反光层的上端或下端;或,每一所述反光层上的所述透光窗口为两个,分别设置在所述反光层的上端和下端;或,每一所述反光层上的所述透光窗口为多个,间隔分布在所述反光层上。
7.如权利要求5所述的检测器,其特征在于,所述透光结构还包括填充在片状晶体与反光层之间的透光层。
8.如权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述第一晶体模块与所述第二晶体模块之间设置有透光结构。
9.如权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述光电传感器阵列与所述闪烁晶体阵列之间通过光导连接。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的检测器,其特征在于,所述第一晶体模块包括第一上层晶体模块和第一下层晶体模块,所述第一上层晶体模块中的片状晶体相对所述第一下层晶体模块中的片状晶体错位排列;所述第二晶体模块包括第二上层晶体模块和第二下层晶体模块,所述第二上层晶体模块中的片状晶体相对所述第二下层晶体模块中的片状晶体错位排列。
11.如权利要求1-9中任意一项所述的检测器,其特征在于,所述光电传感器阵列包括多个光电传感器,所述多个光电传感器中的一个分别耦合有一个所述片状晶体。
12.如权利要求1-9中任意一项所述的检测器,其特征在于,所述光电传感器阵列包括多个光电传感器,所述多个光电传感器中的至少一个分别耦合有多个所述片状晶体。
13.如权利要求1-9中任意一项所述的检测器,其特征在于,所述光电传感器阵列包括m×n个光电传感器,其中m、n为正整数,且第m行上的光电传感器与第m+1行上的光电传感器错位排列。
14.如权利要求1-9中任意一项所述的检测器,其特征在于,所述光电传感器阵列包括m×n个光电传感器,其中m、n为正整数,且第n列上的光电传感器与第n+1列上的光电传感器错位排列。
15.一种正电子发射成像设备,其特征在于,所述正电子发射成像设备包括读出电路模块、数据处理模块和如权利要求1-14中任一项所述的检测器,其中,
所述读出电路模块与所述光电传感器阵列连接,用于接收所述光电传感器阵列输出的电信号,并输出伽玛光子的能量信息和时间信息,所述电信号是通过所述光电传感器阵列对其检测到的可见光子的光信号进行转换而获得的;
所述数据处理模块与所述读出电路模块连接,用于对所述能量信息和所述时间信息进行数据处理和图像重建,以获得待成像对象的扫描图像。
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