[发明专利]一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法在审
| 申请号： | 201711347319.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107934930A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孔令涛;张开胜;刘涛;陈希凡 | 申请（专利权）人： | 中霖中科环境科技（安徽）股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区望*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 去除 水中 离子 氮化 纳米 低温 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，其特征在于：
包括如下步骤：
（1）先将硼酸和尿素按比例混合；
（2）将混合后的一定比例的硼酸和尿素放入马弗炉中高温加热并保温，然后冷却，得到高效吸附去除水中铅离子的氮化硼纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，其特征在于：硼酸和尿素的摩尔比为1:8~15。
3.根据权利要求1所述的一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，其特征在于：所述低温为450~550℃，保温时间为2-5h。
4.根据权利要求1所述的一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，其特征在于：没有保护气氛。
5.根据权利要求1所述的一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，其特征在于：氮化硼纳米片为六方结构，薄层多孔。
6.根据权利要求1所述的一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，其特征在于：氮化硼纳米片的比表面积为500~800m2/g，平均孔隙为6~15nm，厚度0.7~1.4nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中霖中科环境科技（安徽）股份有限公司，未经中霖中科环境科技（安徽）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711347319.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
