[发明专利]基于超表面的卡塞格伦天线有效
申请号: | 201711345301.8 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108306112B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 杨锐;李冬;高东兴;张澳芳;杨佩;雷振亚 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01Q15/14 | 分类号: | H01Q15/14;H01Q19/185;H01Q1/50 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 韦全生;王品华 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 表面 卡塞格伦 天线 | ||
1.一种基于超表面的卡塞格伦天线,其特征在于,包括主反射镜(1)、副反射镜(2)、馈源(3)和平板波导(4),所述主反射镜(1)、副反射镜(2)和馈源(3)夹持在平板波导(4)的两个金属板之间,其中:
所述主反射镜(1)和副反射镜(2),采用基于广义斯涅尔定理构建的相位突变超表面结构;
所述主反射镜(1)包括第一介质层(11)、印制在第一介质层(11)一个侧面的第一反射层(12)和另一个侧面的第一相位调控层(13);所述第一相位调控层(13)由一排或多排包含m个均匀排布的第一矩形金属环微结构(131)组成,m≥4,各第一矩形金属环微结构(131)的尺寸由其所在位置的电磁波入射角和散射参数相位决定,实现与抛物面类似的电磁波相位补偿特性;
所述副反射镜(2)包括第二介质层(21)、印制在第二介质层(21)一个侧面的第二反射层(22)和另一个侧面的第二相位调控层(23);所述第二相位调控层(23)由一排或多排包含n个均匀排布的第二矩形金属环微结构(231)组成,n≥4,各第二矩形金属环微结构(231)的尺寸由其所在位置的电磁波入射角和散射参数相位决定,实现与双曲面类似的电磁波相位补偿特性;
所述馈源(3)位于主反射镜(1)中点断开位置,所述副反射镜(2)的第二相位调控层(23)与主反射镜(1)的第一相位调控层(13)相对,且该副反射镜(2)的虚焦点与主反射镜(1)的焦点重合,实焦点与馈源(3)的相位中心重合;所述馈源(3)发出的柱面波经副反射镜(2)反射后形成以该副反射镜(2)虚焦点为相位中心的柱面波,该柱面波经过主反射镜(1)反射后形成平面波。
2.根据权利要求1所述的基于超表面的卡塞格伦天线,其特征在于:所述第一矩形金属环微结构(131),其所在位置相位补偿数值满足如下公式:
其中,ΦM(xM)表示主反射镜(1)上的相位补偿数值,dΦM=k(sinθi-sinθr)dxM表示ΦM(xM)对xM的导数,xM代表每个第一矩形金属环微结构(131)在x轴方向上的位置坐标,θi(xM)=arctan(xM/f)为入射电磁波相对于主反射镜(1)的入射角,θr(xM)=0为反射电磁波相对于主反射镜(1)的反射角,k为电磁波传播常数,f为主反射镜(1)焦距,Φ0为任意常数相位值。
3.根据权利要求1所述的基于超表面的卡塞格伦天线,其特征在于:所述第二矩形金属环微结构(231),其所在位置相位补偿数值满足如下公式:
其中,ΦS(xS)表示副反射镜(2)上的相位补偿数值,dΦS=k(sinθi-sinθr)dxS表示ΦS(xS)对xS的导数,xS代表每个第二矩形金属环微结构(231)在x轴方向上的位置坐标,θi(xS)=arctan(xS/l)为入射电磁波相对于副反射镜(2)的入射角,θr(xS)=arctan(xS/(f-l))为反射电磁波相对于副反射镜(2)的反射角,f为主反射镜(1)焦距,l为主反射镜(1)的第一相位调控层(13)与副反射镜(2)的第二相位调控层(23)之间的距离,且满足fl,k为电磁波传播常数,Φ0为任意常数相位值。
4.根据权利要求1所述的基于超表面的卡塞格伦天线,其特征在于:所述馈源(3),采用H面矩形喇叭结构,其最前端开口外部沿x轴方向的长度A及H面矩形喇叭梯形张角部分沿z轴方向的长度Lh满足如下公式:
其中,d为副反射镜(2)沿x轴方向的长度,f为主反射镜(1)的焦距。
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