[发明专利]整流器装置及其操作方法和整流器桥

权利要求书

1.一种整流器装置，包括：

在阳极端子与阴极端子之间的晶体管和二极管，所述晶体管具有负载电流路径并且所述二极管并联连接至所述负载电流路径；交流输入电压被可操作地施加在所述阳极端子与所述阴极端子之间，

控制电路，被耦接至所述晶体管的栅极端子，并且被配置成使所述晶体管在导通时间段内导通，在所述导通时间段期间所述二极管被正向偏置，

钳位电路，被耦接至所述晶体管的栅极端子，并且被配置成在所述二极管被反向偏置并且所述交流输入电压的电平达到钳位电压时，至少部分地导通所述晶体管。

2.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述晶体管由多个晶体管单元组成，并且

其中，为了部分地导通所述晶体管，所述钳位电路被配置成仅使所述多个晶体管单元中的第一组晶体管单元导通，而第二组晶体管单元保持关断。

3.根据权利要求2所述的整流器装置，

其中，所述第一组晶体管单元被布置在半导体芯片区域的第一分段中，并且所述第二组晶体管单元被布置在所述半导体芯片区域的第二分段中，所述第一分段和所述第二分段以交替方式被布置在所述半导体芯片区域中。

4.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述钳位电路包括耦接在所述晶体管的栅极端子与阴极端子之间的至少一个齐纳二极管。

5.根据权利要求4所述的整流器装置，

其中，所述晶体管是MOS晶体管，所述阴极端子是所述MOS晶体管的漏极端子，并且所述阳极端子是所述MOS晶体管的源极端子。

6.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测所述二极管已经变为导通来检测所述导通时间段的开始。

7.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测在所述二极管两端的电压降已经达到限定的第一阈值电压来检测所述导通时间段的开始。

8.根据权利要求7所述的整流器装置，

其中，所述控制电路被配置成通过检测在所述晶体管的负载电流路径两端的电压降已经达到限定的第二阈值电压来检测所述导通时间段的结束。

9.一种整流器装置，包括：

多个晶体管单元，被集成在半导体本体中，所述多个晶体管单元中的第一组晶体管单元被分配至第一晶体管，并且所述多个晶体管单元中的第二组晶体管单元被分配至第二晶体管；

阳极端子和阴极端子，通过所述第一晶体管的负载电流路径和所述第二晶体管的负载电流路径被连接；

二极管，被布置在所述半导体本体中且位于所述阳极端子与所述阴极端子之间；

钳位电路，被布置在所述半导体本体中，并且被耦接在所述第一晶体管的栅极端子与所述阴极端子之间；并且

其中，所述第一组晶体管单元被布置在所述半导体本体的第一分段中，并且所述第二组晶体管单元被布置在所述半导体本体的第二分段中。

10.根据权利要求9所述的整流器装置，

其中，所述第一分段和所述第二分段以交替的方式被布置在所述半导体本体中。

11.根据权利要求9所述的整流器装置，

其中，所述第一分段的面积小于所述第二分段的面积。

12.根据权利要求9所述的整流器装置，

其中，所述钳位电路包括齐纳二极管，当所述阴极端子与所述阳极端子之间的电压达到钳位电压时，齐纳电流经过所述齐纳二极管从所述阴极端子流动至所述第一晶体管的栅极端子。