[发明专利]光处理装置和基板处理装置

说明书

本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。

技术领域

本发明涉及一种向基板的表面照射光而进行处理的技术。

背景技术

作为在半导体晶圆、液晶显示器用的玻璃基板等形成抗蚀剂图案的方法，公知有使用了光敏化学放大型抗蚀剂的方法。若利用曝光机进行使用了图案掩模的曝光(图案曝光)，该抗蚀剂在所曝光的部位产生酸，若进一步加热，则酸觉醒而成为例如碱溶解性。并且，通过向成为该碱溶解性的部位供给显影液，形成电路图案。

另一方面，随着电路图案的微细化进展，在电路图案中要求较高的分辨率。作为应对该要求的方法，公知有例如极端紫外线(EVU)曝光，对于EUV曝光，若增大曝光光源的光强度，则装置变得大型化，成本增大，因此不得不使装置小型化，减小光强度，生产率就变低。

另外，在专利文献1公知有一种使用了LED的曝光装置，其中，在使用图案掩模对涂敷有光敏化学放大型抗蚀剂的晶圆进行了图案曝光之后，进一步对图案曝光区域进行成批曝光，使晶圆上的图案的线宽度的面内均匀性良好。该曝光装置构成为，使例如晶圆从壳体内的一方朝向另一方移动，以沿着宽度方向跨越晶圆的移动区域的方式从LED照射光。并且，一边照射光，一边使晶圆从一方向另一方移动，使晶圆横穿照射区域，从而照射晶圆的整个表面。

不过，在基板形成涂敷膜后，使用图案掩模来进行图案曝光处理，接下来进行显影处理，此时，使用将进行涂敷膜的形成和显影处理的涂敷、显影装置和进行图案曝光处理的曝光装置连接起来的基板处理系统。在这样的情况下，在图案曝光处理后进一步对图案曝光区域进行曝光的曝光装置装入涂敷、显影装置。在该情况下，出于避免装置的大型化的观点考虑，优选的是，在成批曝光装置设置有进行晶圆的输入和输出的通用的输入输出口，避免基板处理装置内的基板的输送区域的大型化。

在这样的曝光装置的情况下，在向曝光装置输入晶圆并对晶圆的整个面进行了曝光处理之后，为了输出晶圆，在使晶圆从输入输出口侧向里侧移动时以及从里侧向输入输出口侧移动时这两次通过光的照射区域，若晶圆多次经过光的照射区域，则难以进行照射量的调整。因此，需要不以曝光为目的而使晶圆在光源的下方经过，但如果为了不对晶圆进行曝光，而若使LED断开，则在使LED连通时直到LED的光强度稳定为止花费时间，存在装置的生产率降低的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-156472号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是在这样的状况下做成的，其目的在于提供一种在向基板的表面照射光而进行基板处理时抑制生产率的降低并向基板进行稳定的光照射的技术。

用于解决问题的方案

本发明的光处理装置的特征在于，具备：

壳体，其形成进行基板的输入输出的输入输出口；

载置台，其设置于所述壳体内，并用于载置基板；