[发明专利]一种储能系统的双向变流电路在审

专利信息
申请号: 201711303772.2 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN108111021A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 谢猛;许洪华 申请(专利权)人: 北京科诺伟业科技股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02J3/28
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 全桥电路 公共端 高频隔离变压器 出线 变流电路 储能系统 能量双向流动 谐振电容
【权利要求书】:

1.一种储能系统的双向变流电路,其特征在于:所述的储能系统的双向变流电路包括高压侧全桥电路、LLC谐振电路和低压侧全桥电路;高压侧全桥电路和低压侧全桥电路分别与LLC谐振电路连接,组成能量双向流动通道;高压侧全桥电路的第一Mosfet开关器件S1和第二Mosfet开关器件S2的公共端出线与LLC谐振电路的谐振电容C3相连,高压侧全桥电路的第三Mosfet开关器件S3和第四Mosfet开关器件S4的公共端出线与LLC谐振电路的高频隔离变压器Tr1的高压侧相连;低压侧全桥电路的第五Mosfet开关器件S5、第六Mosfet开关器件S6的公共端出线与LLC谐振电路的高频隔离变压器Tr1的低压侧相连,低压侧全桥电路的第七Mosfet开关器件S7和第八Mosfet开关器件S8的公共端出线与LLC谐振电路的高频隔离变压器Tr1的低压侧相连。

2.根据权利要求1所述的储能系统的双向变流电路,其特征在于:所述的高压侧全桥电路的第一Mosfet开关器件S1和第二Mosfet开关器件S2的公共端出线与LLC谐振电路的谐振电容C3相连,高压侧全桥电路的第三Mosfet开关器件S3和第四Mosfet开关器件S4的公共端出线与LLC谐振电路的高频隔离变压器Tr1的高压侧相连;低压侧全桥电路的第五Mosfet开关器件S5、第六Mosfet开关器件S6的公共端出线与LLC谐振电路的高频隔离变压器Tr1的低压侧相连,低压侧全桥电路的第七Mosfet开关器件S7和第八Mosfet开关器件S8的公共端出线与LLC谐振电路的高频隔离变压器Tr1的低压侧相连,组成能量双向流动通道。

3.根据权利要求1所述的储能系统的双向变流电路,其特征在于:所述的高压侧全桥电路中,第一Mosfet开关器件S1的漏极与支撑电容C1的正极连接,第一Mosfet开关器件S1的源极与第二Mosfet开关器件S2的漏极连接,第二Mosfet开关器件S2的源极与支撑电容C1的负极连接;第三Mosfet开关器件S3的漏极与支撑电容C1的正极连接,第三Mosfet开关器件S3的源极第四开关器件S4的漏极连接,第四开关器件S4的源极与支撑电容C1的负极连接。

4.根据权利要求1所述的储能系统的双向变流电路,其特征在于:所述的LLC谐振电路由谐振电容和高频隔离变压器Tr1组成;LLC谐振电路的谐振电容C3的一端与高频隔离变压器Tr1高压侧的一根引线连接,谐振电容C3的另一端与外部电路连接,高频隔离变压器Tr1高压侧的另一根引线与外部电路连接。高频隔离变压器低压侧的两根引线均与外部电路连接。

5.根据权利要求1所述的储能系统的双向变流电路,其特征在于:所述的低压侧全桥电路由支撑电容C2和四个Mosfet开关器件S5,S6,S7,S8组成;第五Mosfet开关器件S5的漏极与支撑电容C2的正极连接,第五Mosfet开关器件S5的源极与第六Mosfet开关器件S6的漏极连接;第六Mosfet开关器件S6的漏极与第五Mosfet开关器件S5的源极连接,第六Mosfet开关器件S6的源极与支撑电容C2的负极连接;第七Mosfet开关器件S7的漏极与支撑电容C2的正极连接,第七Mosfet开关器件S7的源极与第八Mosfet开关器件S8的漏极连接;第八Mosfet开关器件S8的源极与支撑电容C2的负极连接。

6.根据权利要求1、2或4所述的储能系统的双向变流电路,其特征在于:所述的Mosfet开关器件等效为开关K,体二极管D和结电容C;体二极管D反向并联在开关K的两端,结电容C并联在开关K的两端。

7.根据权利要求1所述的储能系统的双向变流电路,其特征在于:当电能由高压侧全桥流向低压侧全桥时,高压侧全桥的第一Mosfet开关器件S1与第四Mosfet开关器件S4,第二Mosfet开关器件S2与第三Mosfet开关器件S3相同占空比导通,第一Mosfet开关器件S1与第二Mosfet开关器件S2,第三Mosfet开关器件S3与第四Mosfet开关器件S4互补导通,将支撑电容C1两端的直流电压变换成交流电压信号,作为LLC谐振电路的输入;交流电压信号通过LLC谐振电路传递到低压侧全桥电路,通过低压侧全桥电路四个Mosfet开关器件S5、S6、S7、S8进行不控整流,将交流电压信号转换成直流电压信号输出到支撑电容C2,能量由高压侧全桥电路流向低压侧全桥电路;当能量由低压侧全桥流向高压侧全桥时,低压侧全桥的四个Mosfet开关器件S5与S8,S6与S7分别以相同的占空比导通,同桥臂的Mosfet开关器件S5与S6,S7与S8互补导通,将支撑电容C2两端的直流电压变换成交流电压信号,作为LLC谐振电路的输入;交流电压信号通过LLC谐振电路传递到高压侧全桥电路,通过高压侧全桥电路的四个Mosfet开关器件S1、S2、S3、S4的体二极管进行不控整流,将交流电压信号转换成直流电压信号到支撑电容C1,能量由低压侧全桥电路流向高压侧全桥电路。

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