[发明专利]一种超声波避障检测电路在审

专利信息
申请号: 201711289187.1 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN108020829A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 陈庆文;刘琦;董莘;周丽丽;李麒;张志超;吴冈 申请(专利权)人: 黑龙江省科学院自动化研究所
主分类号: G01S7/524 分类号: G01S7/524;G01S7/526;G01S15/93
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150090 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 超声波 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种超声波避障检测电路,其特征在于,它包含发射电路(1)和接收电路(2)两部分;发射电路(1)包含方向选择电路(11)、信号发射电路(12);输出电路(2)包含信号接收电路(21)、一级放大电路(22)、二级放大电路(23)、信号比较电路(24);方向选择电路(11)控制线的一端与主控芯片控制a引脚、控制b引脚相连,另一端与MOSFET阵分别连接,方向选择电路(11)信号线的一端与主控芯片信号a引脚、信号b引脚相连,另一端分别连接信号发射电路(12)的输入端;信号比较电路(24)的输入端分别与标准电压电路和二级放大电路(23)的输出端相连,信号比较电路(24)的输出端与主控芯片接收a引脚、接收b引脚相连;二级放大电路(23)的输入端与一级放大电路(22)的输出端相连;一级放大电路(22)的输入端与信号接收电路(21)的输出端相连。

2. 根据权利要求1所述的一种超声波避障检测电路,其特征在于所述的方向选择电路(11)由第一反相器(U10)、第二反相器(U11)和MOSFET阵组成,MOSFET阵包括第一MOSFET(Q10)、第二MOSFET(Q11)、第三MOSFET(Q12)、第四MOSFET(Q13)、第五MOSFET(Q14)和第六MOSFET(Q15);第一反相器(U10)分别与第一MOSFET(Q10)、第二MOSFET(Q11)相连组成一级选择电路;第二反相器(U11) 分别与第三MOSFET(Q12)、第四MOSFET(Q13)、第五MOSFET(Q14)、第六MOSFET(Q15)相连组成二级选择电路。

3.根据权利要求2所述的一种超声波避障检测电路,其特征在于所述的信号发射电路(12)由第七MOSFET(Q20)、第八MOSFET(Q21)、第九MOSFET(Q22)、第十MOSFET(Q23)、第三反相器(U12)、第四反相器(U13)、第五反相器(U14)、第六反相器(U15)、第七反相器(U16)、第八反相器(U17)、第九反相器(U18)、第十反相器(U19)、第一超声波发生器(F10)、第二超声波发生器(F11)、第三超声波发生器(F12)、第四超声波发生器(F13)构成;第一超声波发生器(F10)与第四反相器(U13)、第三反相器(U12)、第七MOSFET(Q20)连接组成方向1发射电路;第二超声波发生器(F11)与第六反相器(U15)、第五反相器(U14)、第八MOSFET(Q21)连接组成方向2发射电路;第三超声波发生器(F12)与第八反相器(U17)、第七反相器(U16)、第九MOSFET(Q22)连接组成方向3发射电路;第四超声波发生器(F13)与第十反相器(U19)、第九反相器(U18)、第十MOSFET(Q23)连接组成方向4发射电路。

4.根据权利要求3所述的一种超声波避障检测电路,其特征在于所述的信号接收电路(21)由第一超声波接收器(F20)、第二超声波接收器(F21)、第三超声波接收器(F22)、第四超声波接收器(F23)、加法器(U20)构成;加法器(U20)分别与第一超声波接收器(F20)、第二超声波接收器(F21)、第三超声波接收器(F22)、第四超声波接收器(F23)高电平输出端相连组成接收电路。

5.根据权利要求4所述的一种超声波避障检测电路,其特征在于所述的一级放大电路(22)由第一运放(U21)、第一电阻(R10)、第二电阻(R11)、第三电阻(R12)、第四电阻(R13)、第五电阻(R14)、第一电容(C10)构成;第四电阻(R13)和第五电阻(R14)组成分压电路;第一运放(U21)分别连接第一电阻(R10)、第二电阻(R11)、第四电阻(R13)、第五电阻(R14)、第一电容(C10)组成放大电路;第一电阻(R12)与信号接收电路(21)输出端相连;第二电阻(R11)与二级放大电路(23)输入端相连。

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