[发明专利]一种同步整流驱动电路在审

专利信息
申请号: 201711289033.2 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107896068A 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 魏天银 申请(专利权)人: 绵阳伟成科技有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 代理人: 徐金琼,刘东
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种同步整流驱动电路。

背景技术

在一般的反激式开关电源中,二次侧的整流二极管损耗是电源效率的重要影响因素之一,可以通过选用低导通压降的肖特基二极管来缓解这个问题。但一方面,这种改良对性能的影响并不是非常显着;另一方面,如果输出的电压较高,而肖特基二极管的反向耐压一般较低,难以满足要求。

发明内容

本发明的目的在于:为解决现有的反激式开关电源中选用低导通压降的肖特基二极管来缓解整流二极管损耗的效果并不是很好,且如果输出的电压较高,而肖特基二极管的反向耐压一般较低,难以满足要求的问题,本发明提供一种同步整流驱动电路。

本发明的技术方案如下:

一种同步整流驱动电路,所述电路连接方式为:变压器一端的两个绕组包括二次侧绕组T3和辅助绕组T4,二次侧绕组T3的一端分别连接二极管D1的阴极和极性电容C3的正极,二次侧绕组T3的另一端连接电流互感器的初级绕组CT1的一端,初级绕组CT1的另一端连接MOS管M1的漏极,极性电容C3的负极连接MOS管M1的源极,二极管D2的阳极连接电流互感器的次级绕组CT2的一端,CT2的这一端连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接地,次级绕组CT2的另一端连接并联的电容C2和二极管D4接地,二极管D4DE阳极接地;辅助绕组T4的一端连接并联的电阻R1和二极管D2,二极管D2的阴极连接三极管Q2的发射极,R1的另一端连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极还与电容C1的一端连接,三极管Q2的集电极连接电容C1的另一端、二极管D6的阴极和三极管Q1的发射极,MOS管M1的栅极连接二极管D6的阴极和三极管Q1的发射极,三极管Q1的基极连接二极管D5的阳极,二极管D5的阴极连接电阻R2不接地的一端,三极管Q1的集电极接地,辅助绕组T4的另一端接地,二极管D2的阴极还连接有二极管D3的一端,二极管D3的另一端接地。

具体地,所述三极管Q2的集电极、MOS管M1的栅极和三极管Q1的发射极连接电容C4的一端,电容C4的另一端接地。

采用上述方案后,本发明的有益效果为:

T3与T4分别为变压器上的两个绕组,其中,T3为二次侧绕组,用于能量的传递,T4为辅助绕组。T4上的电压跟随T3的电压升高,用以开启同步整流Mos管M1,CT1与CT2则为电流互感器CT的两个绕组,其中,初级绕组CT1被串在主电路中,用于检测流经Mos管的电流,当CT1中的电流下降到零时,CT2将把M1关断,因此,本发明的同步整流驱动电路以电压信号控制Mos管导通,电流信号控制Mos管关断,不仅效率高,而且工作稳定,不存在误开通的情况。

附图说明

图1为本发明的电路图;

图2为本发明的实施例中的零电压开通电路。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

本实施例中的一种同步整流驱动电路,电路连接方式为:变压器一端的两个绕组包括二次侧绕组T3和辅助绕组T4,二次侧绕组T3的一端分别连接二极管D1的阴极和极性电容C3的正极,二次侧绕组T3的另一端连接电流互感器的初级绕组CT1的一端,初级绕组CT1的另一端连接MOS管M1的漏极,极性电容C3的负极连接MOS管M1的源极,二极管D2的阳极连接电流互感器的次级绕组CT2的一端,CT2的这一端连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接地,次级绕组CT2的另一端连接并联的电容C2和二极管D4接地,二极管D4DE阳极接地;辅助绕组T4的一端连接并联的电阻R1和二极管D2,二极管D2的阴极连接三极管Q2的发射极,R1的另一端连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极还与电容C1的一端连接,三极管Q2的集电极连接电容C1的另一端、二极管D6的阴极和三极管Q1的发射极,MOS管M1的栅极连接二极管D6的阴极和三极管Q1的发射极,三极管Q1的基极连接二极管D5的阳极,二极管D5的阴极连接电阻R2不接地的一端,三极管Q1的集电极接地,辅助绕组T4的另一端接地,二极管D2的阴极还连接有二极管D3的一端,二极管D3的另一端接地。所述三极管Q2的集电极、MOS管M1的栅极和三极管Q1的发射极连接电容C4的一端,电容C4的另一端接地。

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