[发明专利]用于高功率激光照明的复合陶瓷荧光体、制备方法及光源装置在审

专利信息
申请号: 201711288477.4 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN109896857A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 王红;叶勇;朱宁;李春晖;曾庆兵 申请(专利权)人: 上海航空电器有限公司
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/10;C09K11/80
代理公司: 上海世圆知识产权代理有限公司 31320 代理人: 顾俊超
地址: 201101 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 荧光体 高功率激光 复合陶瓷 复合荧光 交错 发光效率 光源装置 显色指数 第一层 热导率 色温 制备
【权利要求书】:

1.用于高功率激光照明的复合陶瓷荧光体,其特征在于,包含有,

复合荧光体第一层,其为(CexY1-x)3Al5O12颗粒与Al2O3颗粒均匀交错构造的复相荧光体,其中,x的取值范围为:0.005≤x≤0.05,(CexY1-x)3Al5O12颗粒的质量占比为30%~100%,Al2O3颗粒的质量占比为0~70%;以及,

复合荧光体第二层,其为(CeyGdzY1-y-z)3Al5O12颗粒与Al2O3颗粒均匀交错构造的复相荧光体,其中,y的取值范围为:0.005≤y≤0.05,z的取值范围为:0.25≤z≤0.75,(CeyGdzY1-y-z)3Al5O12颗粒的质量占比为30%~100%,Al2O3颗粒的质量占比为0~70%。

2.根据权利要求1所述的用于高功率激光照明的复合陶瓷荧光体,其特征在于,所述复合陶瓷荧光体为平板结构,其具有光出射方向的厚度范围为0.3≤d≤0.8mm,其中,所述复合荧光体第一层具有光出射方向的厚度范围为0.2≤d1≤0.6mm,所述复合荧光体第二层具有光出射方向的厚度范围为0.1≤d2≤0.5mm,且d1+d2=d。

3.根据权利要求1或2所述的用于高功率激光照明的复合陶瓷荧光体,其特征在于,所述复合荧光体第一层与所述复合荧光体第二层以晶界形式连接。

4.用于高功率激光照明的复合陶瓷荧光体的制备方法,用于制备权利要求1至3中任意一项所述的复合陶瓷荧光体,其特征在于,包含有以下步骤,

步骤S1,制备复合荧光体第一层浆料:根据(CexY1-x)3Al5O12透明陶瓷的化学计量比采用水热法制备YAG基质原料粉体,其中,x的取值范围为:0.005≤x≤0.05,将YAG基质原料粉体及Al2O3原料粉体在行星式球磨机中球磨,其中,YAG基质原料粉体的质量占比为30%~100%,Al2O3原料粉体的质量占比为0~70%,制得混合均匀的复合荧光体第一层浆料;

步骤S2,制备复合荧光体第二层浆料:根据(CeyGdzY1-y-z)3Al5O12透明陶瓷的化学计量比采用水热法制备YAG基质原料粉体,其中,y的取值范围为:0.005≤y≤0.05,z的取值范围为:0.25≤z≤0.75,将YAG基质原料粉体及Al2O3原料粉体在行星式球磨机中球磨,其中,YAG基质原料粉体的质量占比为30%~100%,Al2O3原料粉体的质量占比为0~70%,制得混合均匀的复合荧光体第二层浆料;

步骤S3,分别将所述复合荧光体第一层浆料及所述复合荧光体第二层浆料真空除泡后,依次注入流延机中进行流延成型,获得双层复合流延片;

步骤S4,将所述双层复合流延片经干压成型、冷等静压,制得素坯;以及,

步骤S5,将所述素坯经真空烧结,制得所述复合陶瓷荧光体。

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