[发明专利]功率因素校正电路及反激电路

说明书

技术领域

本发明属于电源电路技术领域，具体地讲，涉及一种功率因素校正电路及反激电路。

背景技术

在目前输出功率超过75W的电视电源中都会用到功率因素校正电路(PFC电路)，该功率因素校正电路在通常情况下将全电压(诸如交流电压85V～265V)升压到400V。PFC电路可以降低输入的有效电流(RMS电流)，从而减少谐波对供电的影响。

虽然PFC电路有很多优点，但PFC电路毕竟是一个额外的功率变换过程，不可避免的增加了电源的损耗，尤其是输入电压与升压后的电压相差较大时损耗会加剧。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种能够降低损耗的功率因素校正电路及具有该功率因素校正电路的反激电路。

根据本发明的一方面，提供了一种功率因素校正电路，其包括：电压转换模块、第一升压模块、第二升压模块及控制模块，所述电压转换模块分别与所述第一升压模块、所述第二升压模块及所述控制模块连接，所述第一升压模块与所述第二升压模块连接，所述控制模块分别与所述第一升压模块和所述第二升压模块连接；所述电压转换模块用于将输入的交流电压转换为直流电压；所述第一升压模块用于对所述直流电压进行升压；所述第二升压模块用于对所述直流电压进行升压；所述控制模块用于根据所述交流电压的大小控制所述第一升压模块和所述第二升压模块同时工作将所述直流电压升压为第一升压直流电压，或者控制所述第一升压模块和所述第二升压模块分时工作将所述直流电压分别升压为第二升压直流电压和第三升压直流电压，所述第二升压直流电压与所述第三升压直流电压之和等于所述第一升压直流电压。

进一步地，当所述交流电压大于或等于预定电压时，所述控制模块控制所述第一升压模块和所述第二升压模块同时工作，并且所述控制模块控制所述第一升压模块和所述第二升压模块同时将所述直流电压升压为第一升压直流电压；当所述交流电压小于所述预定电压时，所述控制模块控制所述第一升压模块和所述第二升压模块分时工作，并且当所述交流电压为正电压时所述控制模块控制所述第一升压模块将所述直流电压升压为第二升压直流电压，当所述交流电压为负电压时所述控制模块控制所述第二升压模块将所述直流电压升压为第三升压直流电压；所述第二升压直流电压与所述第三升压直流电压相等，并且所述第二升压直流电压与所述第三升压直流电压之和等于所述第一升压直流电压。

进一步地，所述第一升压模块包括：第一MOS晶体管、第一电感器、第一二极管以及第一极性电容器；所述第一MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块，所述第一MOS晶体管的漏极连接到所述第一电感器的一端，所述第一电感器的另一端连接到所述电压转换模块，所述第一MOS晶体管的源极连接到所述第二升压模块，所述第一二极管的阳极连接到所述第一电感器的一端，所述第一二极管的阴极连接到所述第一极性电容器的阳极，所述第一极性电容器的阴极连接到所述第一MOS晶体管的源极。

进一步地，所述第二升压模块包括：第二MOS晶体管、第二电感器、第二二极管以及第二极性电容器；所述第二MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块，所述第二MOS晶体管的漏极连接到所述第一MOS晶体管的源极，所述第二MOS晶体管的源极连接到所述第二电感器的一端并电性接地，所述第二电感器的另一端连接到所述电压转换模块，所述第二二极管的阴极连接到所述第二电感器的一端，所述第二二极管的阳极连接到所述第二极性电容器的阴极，所述第二极性电容器的阳极连接到所述第一极性电容器的阴极。

进一步地，所述控制模块包括：PMW控制芯片和开关；所述PWM控制芯片用于控制所述开关断开或者闭合，所述第一MOS晶体管的栅极和所述第二MOS晶体管的栅极均连接到所述PWM控制芯片上，所述PWM控制芯片还用于控制所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的导通或截止。

进一步地，当所述交流电压大于或等于预定电压时，所述PWM控制芯片控制所述开关断开；当所述交流电压小于所述预定电压时，所述PWM控制芯片控制所述开关闭合。

进一步地，所述电压转换模块包括桥式整流电路。

进一步地，所述功率因素校正电路还包括：电阻器，所述电阻器的一端连接到所述第一极性电容器的阳极，所述电阻器的另一端连接到所述第二极性电容器的阴极。

根据本发明的另一方面，还提供了一种反激电路，其包括上述的功率因素校正电路。

本发明的有益效果：本发明的功率因素校正电路能够降低由输入的交流电压转换成的直流电压与升压直流电压之间的压差，从而能够降低损耗。

附图说明