[发明专利]磁电耦合器件

权利要求书

1.一种磁电耦合器件，包括：

导电基底(110)；

过渡金属氧化物层(120)，设置于所述导电基底(110)的表面，所述过渡金属氧化物层(120)为SrCoO_2.5和SrCoO_2.5H组成的混合物，其中所述SrCoO_2.5所占的比例为大于0％且小于100％；

磁性金属层(130)，设置于所述过渡金属氧化物层(120)的表面，所述过渡金属氧化物层(120)设置于所述导电基底(110)与所述磁性金属层(130)之间。

2.如权利要求1所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述过渡金属氧化物层(120)为SrCoO_2.5、SrCoO_2.5H和SrCoO_3-δ组成的混合物。

3.一种磁电耦合器件，包括：

导电基底(110)；

过渡金属氧化物层(120)，设置于所述导电基底(110)的表面；

磁性金属层(130)，设置于所述过渡金属氧化物层(120)的表面，所述过渡金属氧化物层(120)设置于所述导电基底(110)与所述磁性金属层(130)之间；

所述过渡金属氧化物层(120)中SrCoO_2.5所占比例为100％，SrCoO_2.5H所占比例为0，所述过渡金属氧化物层(120)和所述磁性金属层(130)的接触界面氧离子浓度的变化通过所述SrCoO_2.5中氧离子的迁移实现，以调控所述磁性金属层(130)的磁性。

4.一种磁电耦合器件，包括：

导电基底(110)；

过渡金属氧化物层(120)，设置于所述导电基底(110)的表面；

磁性金属层(130)，设置于所述过渡金属氧化物层(120)的表面，所述过渡金属氧化物层(120)设置于所述导电基底(110)与所述磁性金属层(130)之间；

所述过渡金属氧化物层(120)中SrCoO_2.5所占比例为0，SrCoO_2.5H所占比例为100％，所述过渡金属氧化物层(120)和所述磁性金属层(130)的接触界面氢离子浓度的变化通过所述SrCoO_2.5H中氢离子的迁移实现，以调控所述磁性金属层(130)的磁性。

5.如权利要求1-4中任一项所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述过渡金属氧化物层(120)的厚度为20纳米-100纳米。

6.如权利要求1-4中任一项所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述磁性金属层(130)的厚度为2纳米-6纳米。

7.如权利要求1-4中任一项所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述过渡金属氧化物层(120)和所述磁性金属层(130)的厚度比例为10:1。

8.如权利要求1至4中任一项所述的磁电耦合器件，其特征在于，还包括：

第一电极(140)，与所述导电基底(110)电连接；

第二电极(150)，与所述磁性金属层(130)电连接；

通过所述第一电极(140)和所述第二电极(150)分别向所述导电基底(110)和所述磁性金属层(130)施加电场，所述过渡金属氧化物层(120)和所述磁性金属层(130)界面处的氢离子或氧离子浓度发生变化。

9.如权利要求8所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述磁性金属层(130)为图案化金属层，所述第二电极(150)设置于所述磁性金属层(130)远离所述过渡金属氧化物层(120)的表面。

10.如权利要求9所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述第二电极(150)为直径20微米-200微米间隔设置的多个圆形电极。

11.如权利要求8所述的磁电耦合器件，其特征在于，所述第一电极(140)为条状电极，所述第一电极(140)和所述过渡金属氧化物层(120)平行间隔设置于所述导电基底(110)靠近所述磁性金属层(130)的表面。