[发明专利]电压检测比较器

权利要求书

1.一种电压检测比较器，其特征在于，其包括第一可调电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、偏置电流源和开关组合电路，

其中，所述第一可调电阻和第二电阻依次串联于电源端和接地端之间，第一MOS管的第一连接端与电源端相连，其控制端与第一双极型晶体管的第一连接端相连，第一双极型晶体管的第二连接端经依次串联的第三电阻和第四电阻接地，所述第一双极型晶体管的控制端与第一可调电阻和第二电阻之间的连接节点相连；所述第二MOS管的第一连接端与电源端相连，其控制端与第一MOS管的控制端相连，第二双极型晶体管的控制端与第一双极型晶体管的控制端相连，第二双极型晶体管的第二连接端与第三电阻和第四电阻之间的连接节点相连；第三MOS管的第一连接端与电源端相连，其第二连接端与电压检测比较器的输出端相连，其控制端与第二双极型晶体管的第一连接端相连；偏置电流源的输入端与电压检测比较器的输出端，偏置电流源的输出端接地，

所述开关组合电路包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和第四连接端，所述开关组合电路的第一连接端与第一MOS管的第二连接端相连，所述开关组合电路的第二连接端与第二MOS管的第二连接端相连，所述开关组合电路的第三连接端与第一双极型晶体管的第一连接端相连，所述开关组合电路的第四连接端与第二双极型晶体管的第一连接端相连，

所述开关组合电路包括第一连接方式和第二连接方式，当所述开关组合电路处于第一连接方式时，使第一MOS管的第二连接端与第一双极型晶体管的第一连接端相连，使第二MOS管的第二连接端与第二双极型晶体管的第一连接端相连；当所述开关组合电路处于第二连接方式时，使第一MOS管的第二连接端与第二双极型晶体管的第一连接端相连，使第二MOS管的第二连接端与第一双极型晶体管的第一连接端相连。

2.根据权利要求1所述的电压检测比较器，其特征在于，

当对电压检测比较器进行校准时，先控制开关组合电路在第一连接方式和第二连接方式间不断交替，且在电源端输入单向变化的电压；

随着电源端的电压逐渐单向变化，当电压检测比较器输出的比较结果第一次翻转为第一逻辑电平时，锁定电源端的当前电压和开关组合电路的当前连接方式，使电源端的电压维持锁定时的当前电压，并记录可调电阻的当前有效电阻，该当前有效电阻称为第一有效电阻；

在锁定开关组合电路的当前连接方式后，再使开关组合电路由当前连接方式变换为另一种连接方式，若电压检测比较器输出的比较结果翻转为第二逻辑电平，则调节可调电阻的有效阻值，直至电压检测比较器输出的比较结果再次翻转为第一逻辑电平；

当电压检测比较器输出的比较结果再次翻转为第一逻辑电平时，记录可调电阻的当前有效电阻，该当前有效电阻称为第二有效电阻；

将可调电阻的有效阻值调整为第一有效电阻和第二有效电阻的平均值，并使所述开关组合电路处于第一连接方式或第二连接方式。

3.根据权利要求2所述的电压检测比较器，其特征在于，所述电压检测比较器为过充电压检测比较器，

所述电源端输入单向变化的电压为所述电源端输入逐渐升高的电压。

4.根据权利要求1所述的电压检测比较器，其特征在于，所述开关组合电路包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，

所述第一开关的一端与所述第一MOS管的第二连接端相连，其另一端与所述第一双极型晶体管的第一连接端相连，所述第二开关的一端与所述第二MOS管的第二连接端相连，其另一端与所述第二双极型晶体管的第一连接端相连，第三开关的一端与第一开关的一端相连，所述第三开关的另一端与第二开关的另一端相连，第四开关的一端与第二开关的一端相连，第四开关的另一端与第一开关的另一端相连，

当所述开关组合电路处于第一连接方式时，第一开关和第二开关导通，且第三开关和第三开关关断；

当所述开关组合电路处于第二连接方式时，第一开关和第二开关关断，且第三开关和第三开关导通。

5.根据权利要求1所述的电压检测比较器，其特征在于，

所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为PMOS晶体管，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极；

所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管均为NPN型晶体管，所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NPN型晶体管的集电极、射极和基极。