[发明专利]一种可调节的电源电路结构

权利要求书

1.一种可调节的电源电路结构,包括电源，其特征在于，还包括

输入转换电路，接收电源的输出电压；

中级调节电路，接收输入转换电路输出的增益电压；

输出转换电路，用于降压调制，其中包括线性补偿电路，接收中级调节电路输出的电压信号并隔离输出直流信号；

过冲反馈调节电路，接收过冲的直流信号，并反馈过冲信号至输出转换电路和中级调节电路；

缓冲电路，用于平衡负载功耗与频率相应速度，接收输出转换电路输出的直流信号；

数字输入电路，接收缓冲电路输出的直流电压信号。

2.根据权利要求1所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的输入转换电路，包括

第一编程控制器，用于升压调制；

第一场效应管，用于升压调制开关，接收电源的输出电压，接收由第一编程控制器相对于电源输出电压所输出的相位同步调制时钟。

3.根据权利要求2所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的输入转换电路，还包括

第一电感，其一端连接电源且另一端连接第一场效应管；

第一二极管，其高电极连接第一场效应管；

第二二极管，其高电极连接电源且低电极连接第一二极管的低电极。

4.根据权利要求1所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的中级调节电路，包括

第二编程控制器，用于电压脉宽调制；

第二场效应管，接收输入转换电路输出的增益电压，接收第二编程控制器输出的脉宽调制时钟并输出限定脉宽的电压信号；

第二电感，对限定脉宽的电压信号滤波；

第一电容，补偿滤波后的电压信号最低幅值。

5.根据权利要求4所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的中级调节电路，还包括

第一齐纳二极管，其低电极连接第二场效应管且高电极接地；

第三场效应管，接收第二编程控制器输出的充电信号时钟并补偿第一电容的电荷。

6.根据权利要求1所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的输出转换电路，包括

第三编程控制器，用于降压调制；

第四场效应管和第五场效应管，第四场效应管源极连接第五场效应管漏极，且均接收第三编程控制器输出的降压调制时钟；

第二电容和第三电容，相互串联，并将空置端分别连接至第四场效应管和第五场效应管；

第四场效应管、第五场效应管、第二电容和第三电容通过隔离器、第三二极管和第四二极管输出直流信号。

7.根据权利要求1所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的缓冲电路，包括

输出单元，所述输出单元具有输出端子，所述输出端子用于输出基于输入的输入信号的输出信号，其中

所述输出单元包括：

第一晶体管，其具有连接到所述输出端子的一个主电极；以及

第二晶体管，其具有连接到所述输出端子、并且连接到所述第一晶体管的所述一个主电极的一个主电极，以及

所述缓冲电路包括：

第三晶体管，用于基于所述输入信号降低所述第一晶体管的控制电极的电压；

第四晶体管，用于基于所述输入信号增大所述第二晶体管的控制电极的电压；

第一电压差检测电路，用于检测所述输出信号以所述输入信号为基准的电压差；

第二电压差检测电路，用于检测所述输入信号以所述输出信号为基准的电压差；

第一电流提供单元，用于基于由所述第一电压差检测电路所检测的电压差的绝对值，增大在所述第三晶体管中流动的电流；以及

第二电流提供单元，用于基于由所述第二电压差检测电路所检测的电压差的绝对值，增大在所述第四晶体管中流动的电流。

8.根据权利要求1所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的过冲反馈调节电路，包括

第二齐纳二极管，其低电极接收过冲的直流信号；

光耦器，其发光管高电极连接第二齐纳二极管的高电极且光敏管反馈过冲信号至输出转换电路和中级调节电路。

9.根据权利要求1所述的一种可调节的电源电路结构,其特征在于，所述的数字输入电路，包括分压电路、比较电路和参考电压电路，

所述的分压电路将串行信号限幅后发送给比较电路；

所述的参考电压电路向比较电路提供能够变化的反相参考电压；所述的比较电路，其输出端还连接有RISC架构的8位闪存单片机；

所述的参考电压电路，包括单刀双掷开关；

所述的数字输入电路还连接有负载群。