[发明专利]用于降低表面粗糙度的方法

权利要求书

1.一种用于降低表面粗糙度的方法，包括

(a)在第一温度使基底的初始表面渗铝以形成第一渗铝层以及在所述第一渗铝层和所述基底之间的次层，其中使所述初始表面渗铝包括：用包含铝和氧化铝的第一浆料进行涂布；

(b)移除所述第一渗铝层的至少一部分以暴露所述次层；

(c)在第二温度使所述次层渗铝以形成第二渗铝层，其中所述第二温度低于所述第一温度，其中使所述次层渗铝包括：用包含铝的第二浆料进行涂布，所述第二浆料不含氧化铝或者所述第二浆料中的氧化铝的量小于所述第二浆料的2重量％，并且其中，低于所述第一温度的所述第二温度降低在所述第二渗铝层和所述基底之间形成另一次层的倾向；以及

(d)移除所述第二渗铝层的至少一部分以形成经处理表面，其中所述经处理表面的粗糙度小于所述初始表面的粗糙度。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一渗铝层的厚度大于100微米。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述次层在非渗铝体部分和所述第一渗铝层之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述次层包括σ相和/或μ相。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一温度高于1000摄氏度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二温度低于800摄氏度。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述初始表面是富含钴表面。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一浆料中的氧化铝的量大于所述第一浆料的20重量％。

9.如权利要求1所述的方法，其中移除所述第一渗铝层、移除所述第二渗铝层或者移除所述第一渗铝层和所述第二渗铝层二者包括：酸浸腐蚀。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述经处理表面的粗糙度小于所述初始表面的粗糙度的60％。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括：使步骤a、b、c和d迭代至少一次。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述次层包括晶体结构，所述晶体结构具有拓扑结构紧密的相。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述拓扑结构紧密的相包括四方晶体结构和/或菱形晶体结构。

14.一种用于降低表面粗糙度的方法，包括

(a)使用第一浆料涂布基底的初始表面以形成经涂布表面，其中所述第一浆料包含铝、氧化铝和氯化铵；

(b)在第一温度热处理所述经涂布表面以形成第一渗铝层以及在所述第一渗铝层和所述基底之间的次层；

(c)通过酸浸腐蚀移除所述第一渗铝层的至少一部分以暴露所述次层；

(d)使用第二浆料涂布所述次层以形成经涂布次层，其中所述第二浆料包含铝和氯化铵，且所述第二浆料不含氧化铝；

(e)在第二温度热处理所述经涂布次层以形成第二渗铝层，其中所述第二温度低于所述第一温度，并且其中，低于所述第一温度的所述第二温度降低在所述第二渗铝层和所述基底之间形成另一次层的倾向；以及

(f)通过酸蚀刻移除所述第二渗铝层的至少一部分以形成经处理表面，其中所述经处理表面的粗糙度小于所述初始表面的粗糙度。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第一温度高于1000摄氏度。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述第二温度低于800摄氏度。