[发明专利]一种C/SiC陶瓷基复合材料的修复方法

权利要求书

1.一种C/SiC陶瓷基复合材料的修复方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：

（1）打磨试样表面，清洗干燥；

（2）清洗C/SiC陶瓷基复合材料试样的断口，用质量分数为10~15%的HF腐蚀30～60min；

（3）将腐蚀后的试样放在去离子水中超声清洗，清洗时间为20～40min，烘干；

（4）将烘干后的试样浸泡于Ni(NO₃)₂·6H₂O的丙酮溶液中，Ni(NO₃)₂﹒6H₂O

的质量分数为0.6%~3%，时间为2~4h，真空干燥；

（5）将（4）干燥好的试样用石墨纸包住，只露出断口，放入真空炉中，通入C₂H₂、 H₂和Ar，C₂H₂、H₂和Ar比例为1：1~25：1~25，温度为700~900℃，时间为10~100h，随后关闭C₂H₂和H₂，升温到900~1600℃，保温10~100min；

（6）通入C₃H₆，C₃H₆与Ar比例为1:2~5，温度为800~1200℃，时间为5~50h；

（7）关闭C₃H₆，通入三氯甲基硅烷和H₂， H₂和CH₃SiCl₃比例为1：

5~15，温度为950~1250℃，系统压强为10~1000Pa, 时间为50~300h；

（8）取出试样，去掉石墨纸，用金刚石磨具打磨修复表面，使修复表面与

样品表面平行，并且粗糙度一致；

（9）把（8）处理后的样品放到真空炉中，通入三氯甲基硅烷、H₂和Ar,H₂和CH₃SiCl₃比例为1：5~15，温度为950~1250℃，压强为10~1000Pa, 时间为5~30h；

（10）采用等离子喷涂法在试样表面喷涂硅酸钇和莫来石复合涂层，使用莫来石粉末化学纯度为99.5％，粉末粒度为100-200目，硅酸钇粉末化学纯度为 99.448％，粉末粒度为100-200目。